电子技术基础 数字电子技术学习通超星期末考试答案章节答案2024年.docxVIP

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  • 2024-10-17 发布于浙江
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电子技术基础 数字电子技术学习通超星期末考试答案章节答案2024年.docx

电子技术基础数字电子技术学习通超星期末考试章节答案2024年

锗二极管导通时的管压降约0.3v。

答案:对

硅二极管导通时的正向管压降约0.7v。

答案:对

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可改变成P型半导体。

答案:对

反向击穿的普通二极管一般不能在继续使用了。

答案:对

只要在二极管两端加正向电压,二极管就一定会导通。

答案:错

温度升高时,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。

答案:对

某只硅稳压管的稳定电压Vz=4v,其两端施加的电压分别为+5v正向偏置和-5v反向偏置时,稳压管两端的最终电压分别为____。

答案:+0.7v和-4v

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