面向未来高性能电子器件的石墨烯纳米带.pdfVIP

前沿进展

面向未来高性能电子器件的石墨烯纳米带*2024－06－20收到

†email：zwshi@sjtu.edu.cn

1，2111，†DOI：10.7693/w

吕博赛娄硕沈沛约史志文

(1上海交通大学物理与天文学院人工结构及量子调控教育部重点实验室上海200240)CSTR：32040.14.w

(2日内瓦大学量子材料物理系瑞士日内瓦1211)

Graphenenanoribbonsfornext-generation

high-performanceelectronics

†

LYUBo-Sai1，2LOUShuo1SHENPei-Yue1SHIZhi-Wen1，

(1KeyLaboratoryofArtificialStructuresandQuantumControl(MinistryofEducation)，Schoolof

PhysicsandAstronomy，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200240，China)

(2DepartmentofQuantumMatterPhysics，UniversityofGeneva，Geneva1211，Switzerland)

摘要石墨烯纳米带具有可调节的带隙和较高的载流子迁移率，是未来高性能纳

米电子器件的理想候选材料之一。然而，可用于电子器件的高质量石墨烯纳米带的制备一

直是一个巨大挑战。文章关注高质量石墨烯纳米带的制备，重点介绍近年来采用金属纳米

颗粒催化生长纳米带方面的重要进展，尤其是运用该技术在六方氮化硼层间嵌入式生长超

高质量石墨烯纳米带的最新成果。基于这种层间纳米带的场效应晶体管表现出优异的性能，

有望在将来的碳基纳米电子器件中扮演重要的角色。最后讨论该领域未来可能面临的机遇

与挑战。

关键词石墨烯纳米带，纳米颗粒，催化生长，氮化硼封装，碳基纳米电子学

AbstractGraphenenanoribbonspossessatunablebandgapandhighcarriermobility,

makingthemanidealcandidateforfuturehigh-performancenanoelectronicdevices.However,the

preparationofhigh-qualitynanoribbonssuitableforelectronicapplicationshasbeenasignificant

challenge.Thisarticlefocusesontheirnanoparticle-catalyzedfabricationandtheuseofthis

techniqueingrowinghigh-qualitynanoribbonsembeddedwithinhexagonalboronnitridestacks.

Field-effecttransistorsbasedonthisstr