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RTD器件参数和测量方法——共振隧穿器件讲座(8)--第1页

一曼苎纳米器件与技术

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ＲＴＤ器件参数和测量方法

共振隧穿器件讲座（８）

——

郭维廉

（天津工业大学信息与通讯工程学院，天津３００１６０；专用集成电路国家级重点实验室，

石家庄０５００５１；天津大学电子信息工程学院，天津３０００７２）

摘要：表征ＲＴＤ器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类。

系统全面地介绍这三类参数及其测量方法，为测量和评价ｋＴＤ的器件性能打下良好的基础。

关键词：ＲＴＤ特性和测量；测量方法；直流参数；电路参数；瞬态参数

中图分类号：ＴＮ３１文献标识码：Ａ文章编号：１６７１—４７７６（２００６）１２—０５６４—０８

ＤｅｖｉｃｅＰａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＭｅｔｈｏｄｏｆⅪＩＤ：

Ｌｅｃｔｕｒｅ０ＲＴＤ（８）ｆ

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（ＳｃｈｏｏｏｌｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｏｉｎＥｎｇ．。ＴｉａｎｊｉｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０ｏ１６ｏ。Ｃｈｉｎａ；

ＮａｔｉｏｎａｌＫｅｙＬａ６０ｒ哟，ｙｏｆＡＳＩＣ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ０５￣５１，Ｃｈｉｎａ；

ＳｃｈｏｏｏｌｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｏｉｎＥｎｇ．，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ。Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｐａｒａｍｅ￣ｒｓｆｏｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｉｎｇｔｈｅＲＴＤｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄｄｅｖｉｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓ－

ｔｉｃｓｃａｎｂｅｄｉｖｉｄｅｄｉｎｔｏｆｏｌｌｏｗｉｎｇｔｈｒｅｅｃｌａｓｓｅｓ：Ｄ．Ｃ．ＮＤＲｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｐａｒｍａｅ—

ｔｅｒｓ；ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｒｅｓｐｏｎｓｅａｎｄｓｗｉｔｃｈｉｎｇｔｉｍｅ．Ｔｈｅｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｐａｒｍａｅｔｅｒｓａｎｄｍｅａｓｕｒｉｎｇｍｅｔ—

ｈｏｄｓｗｅｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｓｙｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙａｎｄｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ．Ｉｔｍａｋｅｓａｇｏｏｄｂａｓｉｓｏｆｒｍｅａｓｕｒｉｎｇａｎｄ

ｅｖａｌｕａｔｉｎｇｔｈｅｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＲＴＤ．

Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｎＲＴＤ；ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄ；Ｄ．Ｃ．ｐａｒｍａｅｔｅｒｓ；

ｃｉｒｃｕｉｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｒｅ印ｏｎｓｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓ

小信