CMS60H20M深圳恒锐丰科技.pdf

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CMS60H20M

60VN-ChannelSGT

Description

Features

VDS60V

◼SGTLVMOSFETtechnology

Rds(on),typ@Vgs=10V2.1mΩ

◼Lowgatecharge

Rds(on),typ@Vgs=4.5V2.7mΩ

◼Improveddv/dtcapability

ID200A

Application

◼Powermanagementincomputing

◼CurrentswitchinginDC-DCAC-DC(SR)

◼Loadswitching

TopViewBottomViewPDFN5*6PinConfiguration

PackageMarkingandOrderingInformation

Tape

PartMarkingPackagePackingReelSizeQty

Width

CMS60H20MS60H20MPDFN5*6ReelNANA5000pcs

KeyPerformanceParameters

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

ID@Tc=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS=10V200A

ID@Tc=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS=10V102A

I

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