CMW60R030DFD深圳恒锐丰科技.pdf

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CMW60R030DFD

600VSJMOS

MOSFETSiliconN-ChannelMOS

1Description

Features

⚫Ultra-fastbodydiode

⚫Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.026Ω(typ.)

⚫Easytodrive

⚫Pb-freeplating,HalogenfreemoldcompoundandmeetRoHSrequirement

Applications

⚫ForSoftSwitchingBoostPFCswitch,HBorAHBorLLChalfbridgeandfullbridge

topologies.

⚫Suchasphase-shift-bridge(ZVS),LLCApplication-ServerPower,TelecomPower,EV

Charging,Solarinverter.

Table1KeyPerformanceParameters

ParameterValueUnit

VDS@Tj,max650V

RDS(on),max30mΩ

Qg,typ150nC

ID,pulse240A

Bodydiodedv/dt50V/ns

PackagingandInternalCircuit

PartNamePackageMarkingPackingMethodQTY/BOX

CMW60R030DFDTO-247CMW60R030DFDTube1200PCS

Rev1.0ShenzhenICMSemiconductorCo.Ltd.1/12

CMW60R030DFD

2Maximumratings

atTj=25°C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings

ParameterSymbolValueUnitNote/TestCondition

Min.Typ.Max.

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