第七章 硅的理化性质 硅片的制备.pdfVIP

第七章硅的理化性质，纯硅和硅片的制备

7.1概述

早在1876年，英国科学家亚当斯等在研究半导体材料时发现：当用太阳能照射硒半导

体时，如同伏特电池一样，会产生电流，称为光生伏特电。但是，硒产生的光电效应很弱，

到20世纪中期转化率只有1%左右。1954年，美国贝尔实验室的Chapin等研制出世界上第

一块真正意义上的硅太阳电池，光电转化率达到6%左右，又很快达到10%，从此拉开了现

代太阳能光伏的研究、开发和应用的序幕。几乎同时，CuS/CdS异质结电池也被开发，称为

薄膜太阳电池研究的基础。

到目前为止，太阳能光电工业基本是建立在硅材料基础上，世界上绝大部分的太阳能

光电器件是用晶体硅制造的，其中单晶硅太阳电池是最早被研究和利用的。但是由于生产成

本较昂贵，至20世纪70年代铸造多晶硅发明以来，由于价格较便宜，迅速挤占单晶硅的市

场，成为最有竞争力的太阳电池材料。目前，国际太阳电池材料电池市场中，单晶硅和多晶

硅约占市场的80%以上。

7.1.1硅的理化性质

（1）物理性质

硅有晶态和无定形态两种同素异形体。晶态硅根据原子排列不同分为单晶硅和多晶硅，它们

均有金刚石晶格，属于原子晶体，晶体硬而脆，抗拉应力远远大于抗剪切应力，在室温下没

有延展性；在热处理温度大于750℃时，硅材料由脆性材料转变为塑性材料，在外加应力下，

产生滑移位错，形成塑性变形。硅材料还具有一些特殊的物理化学性质，如硅材料熔化时体

积缩小，固化时体积增大。

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硅具有良好的半导体性质，其本征载流子浓度为1.5×10个/cm，本征电阻率为1.5×

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10Ω·cm，电子迁移率为1350cm/(V·s)，空穴迁移率为480cm/（V·s）。作为半导体材

料，硅具有典型的半导体材料的电学性质。

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①电阻率特性硅材料的电阻率在10~10Ω·cm之间，介于导体和绝缘体之间，高

纯未掺杂的无缺陷的晶体硅材料称为本征半导体，电阻率在10Ω·cm以上。

②PN结特性N型硅材料和P型硅材料相连，组成PN结，这是所有硅半导体器件的基

本结构，也是太阳电池的基本结构，具有单向导电性等性质。

③光电特性与其他半导体材料一样，硅材料组成的PN结在光作用下能产生电流，如

太阳电池。但是硅材料是间接带隙材料，效率较低，如何提高硅材料的发电效率正是目前人

们所追求的目标。

（2）化学性质

硅在常温下不活泼，不与单一的酸发生反应，能与强碱发生反应，可溶于某些混合酸，

其主要性质如下。

①金属作用常温下硅只能与F反应，在F中瞬间燃烧，生成SiF：

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Si+2F======SiF

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加热时，能与其他卤素反应生成卤化硅，与氧反应生成SiO：

2

Si+2X========SiX（X=Cl，Br，I）

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Si+O=======SiO

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在高温下，硅与碳，氮，硫等非金属单质化合，分别生成碳化硅、氮化硅、硫化硅等：

Si+C=======SiC

3Si+2N=======SiN