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HYG080NH03LR1C1
DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET
FeaturePinDescription
G2S2S2S2S2S2S2G2
Q1Q2
V30V30VSD
DS12
ID(VGS=10V)31A33A
D1
RDS(ON)(typ)@VGS=10V8.8mR7.3mR
RDS(ON)(typ)@VGS=4.5V12.4mR10.3mRG1D1D1D1D1D1D1G1
Pin1
100%AvalancheTestedDFN3*3-8L
ReliableandRugged
Halogen-FreeDevicesAvailable
Q1
Applications
Q2
SynchronousRectifiers
WirelessPower
H-bridgeMotorDrive
DualN-ChannelMOSFET
OrderingandMarkingInformation
PackageCode
C1C1:DFN3*3-8L
G080NH03
XYMXXXXXXDateCode
XYMXXXXXX
Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplate
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