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第1、2章复习题
一、单选题(共15题,19.5分)
1、晶闸管内部PN结有()
A、一个
B、两个
C、三个
D、四个
正确答案:C
2、晶闸管在电路中的门极正向偏压()
A、越大越好
B、越小越好
C、不变越好
D、越稳定越好
正确答案:D
3、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。
A、有效值
B、最大值
C、平均值
D、瞬时值
正确答案:C
4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()电极。
A、一个
B、两个
C、三个
D、四个
正确答案:C
5、二极管两端加上正向电压时()。
A、一定导通
B、超过门槛电压才导通
C、超过0.3V才导通
D、超过0.7V才导通
正确答案:B
6、下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单。
A、普通晶闸管
B、可关断晶闸管
C、电力晶体管
D、功率场效应管
正确答案:D
7、如果晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则
该晶闸管的额定电压为()。
A、700V
B、750V
C、800V
D、900V
正确答案:A
8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
正确答案:A
9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是()。
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
正确答案:A
10、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。
A、IGBT
B、GTR
C、MOSFET
D、GTO
正确答案:D
11、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。
A、IGBT
B、MOSFET
C、GTR
D、GTO
正确答案:B
12、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。
A、IPM
B、MOSFET
C、ICBT
D、GTO
正确答案:D
13、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作。
A、直流
B、低频
C、中频
D、高频
正确答案:D
14、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()。
A、在栅极加正电压
B、在集电极加正电压
C、在栅极加负电压
D、在集电极加负电压
正确答案:A
15、晶闸管的开关频率()电力场效应管。
A、稍高于
B、低于
C、远高于
D、等于
正确答案:B
二、填空题(共43题,53.2分)
1、电力电子技术是使用____器件对电能进行____的技术。
正确答案:
第1空:电力电子
第2空:变换和控制
2、电力电子技术是应用在____的电子技术。
正确答案:
第1空:电力变化领域
3、在功率变换的电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在
____状态,这样才能够降低____。
正确答案:
第1空:开关
第2空:损耗
4、电力电子技术的研究内容包括两大分支:____技术和____技术。
正确答案:
第1空:
电力电子器件制造
第2空:
变流
5、电子技术包
括和两大分支,通常
所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
正确答案:
第1空:信息电子技术
第2空:电力电子技术
6、电力电子电路的基本转换形式有____种,分别是____、____、____、____。
正确答案:
第1空:
四
第2空:
AC-DC
第3空:
DC-AC
第4空:
DC-DC
第5空:
AC-AC
7、电力电子器件是直接用于________电路中,实现电能的变换或控制的电子
器件。
正确答案:
第1空:主电路
8、电力电子器件组成的系统,一般由____、____、____、____四部分组成。
正确答案:
第1空:
控制电路
第2空:
驱动电路
第3空:
保护电路
第4空:
主电路
9、按照驱动
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