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第五章AlGaInP发光二极管

Ⅰ导言

自从60年代初期GaAsP红色发光器件小批量显现进而十年后大量量生产以来，发光二极管新

材料取得专门大进展。最先进展包括用GaAsP制成的同质结器件，和GaP掺锌氧对的红色器件，

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GaAsP掺氮的红、橙、黄器件，GaP掺氮的黄绿器件等等。到了80年代中期显现了GaAlAs发光二

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极管，由于GaAlAs材料为直接带材料，且具有多发光效率的双异质结结构，使LED的进展达到一

个新的时期。这些GaAlAs发光材料使LED的发光效率可与白炽灯相媲美，到了1990年，

Hewlett-Packard公司和东芝公司别离提出了一种以AlGaIn材料为基础的新型发光二极管。由于

AlGaIn在光谱的红到黄绿部份都可取得很高的发光效率，使LED的应用取得大大进展，这些应用包

括汽车灯（如尾灯和转弯灯等），户外可变信号，高速公路资料信号，户外大屏幕显示和交通信号

灯。

简单的同质结器件是利用氢气相外延生长GaAsP层，或利用液相外延生长GaP层，通过掺入

杂质如Zn、Te产生pn结,关于GaAsP器件，由于在GaAs和GaP衬底上生长外延层存在外延层和

衬底间晶格不匹配的问题，用这种材料做成异质结器件不大可能。而GaAlAs和AlGaIn可长成晶格

匹配的异质结器件（在GaAs衬底上生长）。这两种材料是直接带半导体材料，其合金范围较大，通

过改变铝合金组份，能够长成适合的晶格匹配层。图（1）给出用不同材料制成的同质结和异质结

LED外延结构图。

图1.利用不同材料的各类发光二极管(LED)例子:(a)典型的GaAsP器件;(b)单异质结GaAlAs

器件;(c)GaAlAs吸收衬底(AS)双异质结(DH)LED;(d)GaAlAs透明衬底DHLED;(e)吸收衬底

ALGaInPDHLED。

由于含铝气体关于石英容器具有侵蚀性，一般的气相外延不能够生长含铝合金。关于AlGaAs

材料，通常采纳液相外延技术，专门关于发红光的器件，在液相外延进程利用在Ga溶液中发生的

消氧效应，能够制成内量子效率达到50%，波长约650nm的发光二极管。关于AlGaInP发光二极管，

由于在溶液中铝分离，液相外延方式不是一种适合的方式，关于(AlGa)InP(晶格和GaAs衬底匹

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配)和掺铝较少的AlGaAs红外发射器件，利用金属有机化合物气相外延技术（OMVPE）。也能够利用

分子束外延生成优质的AlGaInP材料和器件，尤其是激光二极管。但是，就制造OMVPEAlGaInP发

光二极管和激光二极管而言，OMVPE是起主导地位的晶体生长技术。OMVPE生长使迄今为止发光效

率最高的AlGaInP发光二极管实现了批量生产（关于AlGaInGpOMVPE生长的完整讨论见第四章），

这主若是因为OMVPE工艺改良了材料质量，提高了生长速度且其价钱为客户所能接受，事实上，当

前用OMVPE生产AlGaInPLED标志着这种生产技术已经真正利用于光电子器件的批量生产。

OMVPE是一个高度可控的薄膜生长进程，生长层的组份，搀杂水平和厚度能够别离操纵从而产生一

个复杂的异质结器件。进程的灵活性使得能够长成阻碍电流流过器件某一区域的阻挡层和散布型布

拉格反射器（这种反射器光从吸收衬底出来后返回芯片顶部）。为了增加光的输出和电流的传播，

可将如气相外延等补偿技术与OMVPE相结合以产生厚的窗口层，还能够利用化合物半导体晶片键合

技术用一个透明的GaP衬底取代原先不透明的GaAs衬底从而完全排除衬底的吸收。这些改良正在

被用于AlGaInP发光二极管的制造从而取得尽可能高的发光效率。

本章重点介绍优质AlGaInPLED器件的进展和制造，描述AlGaInPLED激活层的设计，AlGaInP

合金材料的性质。第二讨论为了提高光输出LED结构的特殊部份，包括电流扩散层，电流阻挡层和

窗口层。然后描述可提高性能的光输出技术如布拉格反射器，透明衬底的晶片键合等技术，接着简

单介绍AlGaInP