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《CuGaSe2_Ge中间带半导体材料的制备及特性研究》篇一
CuGaSe2_Ge中间带半导体材料的制备及特性研究一、引言
随着科技的进步和半导体材料应用的日益广泛，对高性能、低成本的半导体材料的需求也日益增加。中间带半导体材料，作为一种新型的半导体材料，在光电器件和光电子集成电路等领域有着广泛的应用前景。其中，CuGaSe2和Ge等材料因具有优良的物理性质和制备工艺优势，成为研究的重要对象。本文将详细介绍CuGaSe2：Ge中间带半导体材料的制备方法及其特性研究。
二、材料制备
1.原料选择
制备CuGaSe2：Ge中间带半导体材料的主要原料包括Cu、Ga、Se和Ge等元素。这些原料需要经
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