《 高质量二维钙钛矿（PEA）2FAn-1Pb_nBr3n+1薄膜制备和低阈值放大自发辐射研究》范文.docxVIP

《高质量二维钙钛矿（PEA）2FAn-1Pb_nBr3n+1薄膜制备和低阈值放大自发辐射研究》篇一

高质量二维钙钛矿（PEA）2FAn-1Pb_nBr3n+1薄膜制备与低阈值放大自发辐射研究

一、引言

随着光电子技术的快速发展，高质量二维钙钛矿材料在光电器件中发挥着日益重要的作用。本文研究的重点为一种新型的二维钙钛矿（PEA）2FAn-1Pb_nBr3n+1薄膜的制备工艺以及其低阈值放大自发辐射的特性研究。本文旨在探讨该材料的制备过程、物理性质及其在光电子器件中的潜在应用。

二、高质量二维钙钛矿薄膜的制备

1.材料选择与预处理

制备高质量的二维钙钛矿薄膜，首先需要选择适当的原料并进行预处理。