高纯多晶硅的无损材料检测方法.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101135673A

(43)申请公布日2008.03.05

(21)申请号CN200710147827.5

(22)申请日2007.08.30

(71)申请人瓦克化学有限公司

地址德国慕尼黑

(72)发明人A·黑根M·尚茨B·利希腾内格

(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人程伟

(51)Int.CI

G01N29/07

G01N29/28

G01N29/44

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

高纯多晶硅的无损材料检测方法

(57)摘要

本发明涉及无污染及无损伤检测定形多晶硅体材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

权利要求说明书

1.用于无污染及无损伤检测定形多晶硅体的材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷。

2.如权利要求1所述的方法，其中，超声波是通过超声波发射器辐射到定形多晶硅体上的，穿过定形多晶硅体的超声波由超声波接收器转化为电子振动并且显示出来。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，超声波是通过超声波检测头辐射到定形多晶硅体上的，经过完全或部分反射后由同一个超声波检测头记录，并转化为接收器脉冲。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其中，透过的和接收的超声波是通过电子进行记录和评估的，定形多晶硅体内材料缺陷的定位由超声波的各个飞行时间确定。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在将定形多晶硅体暴露于超声波中之前，将超声波检测头移向定形多晶硅体，并通过超声波耦合使超声波与定形多晶硅体结合。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，反射超声波的信号评估是在计算设备中进行的，反射超声波间的时间差和/或信号强度与预设参数的比较是在计算设备中进行的。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，超声波检测头移到距离定形多晶硅体5-200mm的范围之内，特别优选5-80mm的范围。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，超声波耦合是利用无气泡的水进行的。

9.如权利要求8所述的方法，其中，检测是通过浸入法或水喷射法进行的。

10.如权利要求7或8所述的方法，其中，水为完全去离子水(pH≤7.0；电阻≥0.5百万欧姆，尤其优选≥18百万欧姆，无悬浮物)。

11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，定形多晶硅体表面保持高的纯度(表面金属值：Fe≤15；Cr≤1；Ni≤0.5；Na≤25；Zn≤10；Cl≤30；Cu≤1；Mo≤1；Ti≤25；W≤1；K≤5；Co≤0.5；Mn≤0.5；Ca≤45；Mg≤11；V≤0.5；所有的量都为pptw)。

12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，定形多晶硅体不含投影面表面大于0.03mmsup2/sup的缺陷。

13.不含投影面表面大于0.03mmsup2/sup的缺陷的定形多晶硅体。

说明书

技术领域

本发明涉及高纯多晶硅的无损材料检测方法。

背景技术

高纯多晶硅，即下面所指的多晶硅，尤其被用作制造电子元件和太阳能电池的原材料。工业上该多晶硅是由含硅气体或含硅的气体混合物在西门子反应器中的热分解和化学气相沉积法所制造的。在这种情况下，多晶硅形成定形多晶硅体。随后可以对这些定形多晶硅体进行机械加工。

这些定形多晶硅体必须采用无损材料检测方法来检验其材料质量。声学共振分析方法，也就是所熟悉的“声学试验”，一般被用于这种检测。例如，通过轻轻锤击使定形多晶硅体的外部受到刺激，由此产生的固有共振提供给本领域技术人员有关定形多晶硅体材料质量的信息。共振法的一个优点是检测时间只有非常短的几秒钟。而且，检测过程中整个样本体可以得到研究，也就是，该检测为体积取向(volume-oriented)的检测方法。共振分析的一个缺点是该方法无法精确定位或识别材料缺陷。而且，定形多晶硅体受到锤击接触，在每次检测时会对定形多晶硅体造成污染，使后续的清洁步骤成为必要。共振分析的另一个缺点是定形多晶硅体在检测时可能会受到损坏。例如，定形多晶硅体表面脱节甚或遭到破坏的情形可能发生。还有一个缺点是