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HWCVD制备硼掺杂氢化纳米硅及银纳米粒子增强
硅薄膜太阳电池光谱响应的研究的开题报告
题目：HWCVD制备硼掺杂氢化纳米硅及银纳米粒子增强硅薄膜太阳
电池光谱响应的研究
研究背景和意义：
太阳能是一种清洁、可再生并且无限的能源，已经成为了国家重要
的战略资源。硅薄膜太阳电池是一种新型的太阳能电池，具有简单、轻
质、低成本等优点，被广泛研究和应用。当前，提高硅薄膜太阳电池
光电转换效率是研究的热点之一。
在硅薄膜太阳电池环节中，载流子的产生是关键的，而硅材料的电
子结构特点难以产生足够数量的载流子。为了提高硅材料的导电性能和
光吸收能力，可以在硅材料中引入掺杂物。其中，硼是一种优良的掺杂
元素，具有高扩散系数和高析出温度等特点。因此，硼掺杂氢化纳米硅
成为了掺杂硅材料的研究热点。然而，硅材料的光吸收能力过低，且光
吸收的深度也较浅，导致硅薄膜太阳电池的效率较低。因此，有必要寻
找一种新的方法，以提高硅材料的光吸收能力。
在纳米结构中，由于其特殊的大小效应和表面效应，会产生很多新
的物理和化学性质。纳米结构在硅材料中的应用可以大大提高硅材料
光吸收性能和电学性能。此外，银纳米粒子作为表面等离子体共振（SPR）
材料，也已被引入硅薄膜太阳电池的研究中。银纳米粒子能够从接收到
的光束中吸收一部分光子，并将其耦合到硅板上，从而增强硅材料的光
吸收性能。在硅材料中加入银纳米粒子，可以形成硅/银双层结构，进一
步增强硅材料的光吸收性能和光电转换效率。
综上所述，本研究旨在将硼掺杂氢化纳米硅及银纳米粒子引入硅薄
膜太阳电池中，以增强硅薄膜太阳电池的光吸收性能和电学性能，从而
提高其光电转换效率。
研究内容和方法：
硅薄膜太阳电池的样品制备使用HWCVD工艺，硼掺杂氢化纳米硅
和银纳米粒子的制备使用化学法，通过旋涂和光刻工艺形成硅/银双层结
构。利用XPS和XRD等分析手段分析样品的结构组成和特性，利用IV
测试、EQE测试等手段分析样品的光电转换性能和光谱响应。
研究预期成果：
本研究将制备出硼掺杂氢化纳米硅和银纳米粒子增强硅薄膜太阳电
池。通过光谱响应测试，将得出硅/银双层结构对太阳光的光吸收性能和
光电转换效率的提高情况。本研究结果有望为硅薄膜太阳电池的光电转
换性能提高提供新的思路和方法。
参考文献：
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deposition[J].AppliedPhysicsLetters,2005,87(7):073114.
[2]GaoX,WuF,QianD,etal.Surfaceplasmonresonanceinsilver
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