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半导体行业CMP抛光材料市场分析
1.CMP抛光:集成电路制造过程中的关键工艺
1.1.CMP技术是集成电路生产制造的核心工艺之一
(1)CMP技术随着芯片制程技术不断进步,经历过铝、铜、低K
介质、钴等多种材料技术进步。CMP(ChemicalMechanicalPolishing)
化学机械抛光概念从1965年由Walsh等人提出,发展至今已经成为
IC制造工艺中不可或缺的环节之一。在CMP抛光技术的发展历程上
有几个关键节点,从0.35μm~0.25μm技术节点开始CMP技术成为
唯一可实现全局平坦化的IC关键技术。0.18~0.13μm技术节点,由
于铜正式取代铝成为主流导线材料,使CMP成为铜互连技术必不可
少的工艺制程。当技术节点发展到65nm时,用于减小RC延迟时间
而引入的低K介质材料,逐步取代传统的SiO2,传统的CMP技术
由于较高的压力容易导致低K材料的塌陷或剥落,致使传统的CMP
很难应用于65nm节点以下,开发低压力、低K介质材料适用的CMP
设备成为新的发展方向。当技术节点发展到30~20nm时,Cu互连
不在适用于20nm以下的互连技术,迫使人们开始研发新的互连材料
及互连技术,应用于钴互连技术的CMP技术成为又一发展方向。当
集成电路节点发展到14nm时,CMP发展成为实现新的工艺技术如
鳍式场效应晶体管(FinFET)、硅通孔技术(TSV)的关键技术。
(2)CMP是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。
单晶硅片制造过程和前半制程中,需要多次用到化学机械抛光技术。
CMP工艺通过化学腐蚀和机械研磨的协同配合,来实现晶圆表面微
米/纳米级不同材料的高效去除,从而达到晶圆或表面纳米级平坦化,
与此前普遍使用的机械抛光相比,化学机械抛光能使硅片表面变得更
加平坦,解决晶圆表面起伏不平导致的光刻无法准确对焦、电子迁移
短路、线宽控制失效等问题,并且还具有加工成本低及加工方法简单
的优势。硅片在经过刻蚀、离子注入等工艺后,其表面会变得凹凸不
平,会影响下一道工序的进行,在光刻工艺中,如果曝光面不平坦,
就无法发挥其分辨率的特长,曝光设备的分辨率越高,焦深(DOF)
就越低,重复的使用在薄膜沉积后、光刻环节之前。随着IC设计中
越来越频繁的使用多层金属技术,并要求更小的器件和内连线尺寸,
先进IC的表面出现更高的台阶和深宽更大的沟槽,使得台阶覆盖和
沟槽填充变得更加困难。表面起伏的主要负面影响是在光刻是对线宽
失去了控制,由它们引起的光刻胶厚度不均匀是限制亚0.25um光刻
的主要因素,因此晶圆表面的平坦化在IC制造工艺中显得尤为重要。
(3)CMP工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下,被抛光的晶
圆对抛光垫做相对运动从而实现平坦化处理。借助纳米磨料的机械研
磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,满足被抛光
的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不
同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几
道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛
光方法不同,CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合
来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面的
高度(纳米级)平坦化效应,使下一步的光刻工艺得以顺利进行。化
学作用是指抛光液中的化学品和硅片表面发生化学反应,生成比较容
易去除的物质,物理过程是指抛光液中的磨粒和硅片表面材料发生机
械物理摩擦,去除化学反应生成的物质。
1.2.CMP工艺覆盖硅片制造、晶圆制造以及封装测试环节
在集成电路制造流程中往往需要循环多次使用CMP工艺,涉及硅片
制造、前道及后道环节。集成电路按制造工艺及应用领域主要分为逻
辑芯片、3DNAND闪存芯片、DRAM内存芯片,上述三种芯片虽然
在结构及制造工艺上有明显的区别,但无论哪种芯片的制造,
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