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半导体行业CMP抛光材料市场分析

1.CMP抛光：集成电路制造过程中的关键工艺

1.1.CMP技术是集成电路生产制造的核心工艺之一

（1）CMP技术随着芯片制程技术不断进步，经历过铝、铜、低K

介质、钴等多种材料技术进步。CMP（ChemicalMechanicalPolishing）

化学机械抛光概念从1965年由Walsh等人提出，发展至今已经成为

IC制造工艺中不可或缺的环节之一。在CMP抛光技术的发展历程上

有几个关键节点，从0.35μm~0.25μm技术节点开始CMP技术成为

唯一可实现全局平坦化的IC关键技术。0.18～0.13μm技术节点，由

于铜正式取代铝成为主流导线材料，使CMP成为铜互连技术必不可

少的工艺制程。当技术节点发展到65nm时，用于减小RC延迟时间

而引入的低K介质材料，逐步取代传统的SiO2，传统的CMP技术

由于较高的压力容易导致低K材料的塌陷或剥落，致使传统的CMP

很难应用于65nm节点以下，开发低压力、低K介质材料适用的CMP

设备成为新的发展方向。当技术节点发展到30～20nm时，Cu互连

不在适用于20nm以下的互连技术，迫使人们开始研发新的互连材料

及互连技术，应用于钴互连技术的CMP技术成为又一发展方向。当

集成电路节点发展到14nm时，CMP发展成为实现新的工艺技术如

鳍式场效应晶体管（FinFET）、硅通孔技术（TSV）的关键技术。

（2）CMP是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。

单晶硅片制造过程和前半制程中，需要多次用到化学机械抛光技术。

CMP工艺通过化学腐蚀和机械研磨的协同配合，来实现晶圆表面微

米/纳米级不同材料的高效去除，从而达到晶圆或表面纳米级平坦化，

与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更

加平坦，解决晶圆表面起伏不平导致的光刻无法准确对焦、电子迁移

短路、线宽控制失效等问题，并且还具有加工成本低及加工方法简单

的优势。硅片在经过刻蚀、离子注入等工艺后，其表面会变得凹凸不

平，会影响下一道工序的进行，在光刻工艺中，如果曝光面不平坦，

就无法发挥其分辨率的特长，曝光设备的分辨率越高，焦深（DOF）

就越低，重复的使用在薄膜沉积后、光刻环节之前。随着IC设计中

越来越频繁的使用多层金属技术，并要求更小的器件和内连线尺寸，

先进IC的表面出现更高的台阶和深宽更大的沟槽，使得台阶覆盖和

沟槽填充变得更加困难。表面起伏的主要负面影响是在光刻是对线宽

失去了控制，由它们引起的光刻胶厚度不均匀是限制亚0.25um光刻

的主要因素，因此晶圆表面的平坦化在IC制造工艺中显得尤为重要。

（3）CMP工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶

圆对抛光垫做相对运动从而实现平坦化处理。借助纳米磨料的机械研

磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，满足被抛光

的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不

同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几

道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛

光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合

来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的

高度（纳米级）平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以顺利进行。化

学作用是指抛光液中的化学品和硅片表面发生化学反应，生成比较容

易去除的物质，物理过程是指抛光液中的磨粒和硅片表面材料发生机

械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。

1.2.CMP工艺覆盖硅片制造、晶圆制造以及封装测试环节

在集成电路制造流程中往往需要循环多次使用CMP工艺，涉及硅片

制造、前道及后道环节。集成电路按制造工艺及应用领域主要分为逻

辑芯片、3DNAND闪存芯片、DRAM内存芯片，上述三种芯片虽然

在结构及制造工艺上有明显的区别，但无论哪种芯片的制造，