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化学气相沉积试题答案

一、选择题

1.化学气相沉积（CVD）的主要原理是：

A.物理吸附

B.化学吸附

C.溶液反应

D.熔融反应

答案：B.化学吸附

2.下列哪种气体不适合作为CVD过程中的载气？

A.氮气

B.氢气

C.氧气

D.氯气

答案：D.氯气

3.哪一类CVD技术主要用于生产高纯度单晶硅？

A.热分解CVD

B.等离子体增强CVD

C.低压高温CVD

D.金属有机化学气相沉积

答案：C.低压高温CVD

4.在CVD过程中，以下哪个参数对于沉积薄膜的质量影响最大？

A.温度

B.压力

C.气体流量

D.基片材料

答案：A.温度

5.以下哪种物质不是常用的CVD前驱体？

A.硅烷

B.氯化氢

C.氨

D.硫酸

答案：D.硫酸

二、填空题

1.化学气相沉积是一种利用________和________在固体基片上沉积薄

膜的技术。

答案：气态前驱体；化学反应

2.在CVD过程中，通常需要控制的主要参数包括________、________、

________和________。

答案：温度；压力；气体流量；时间

3.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是通过在________中产

生等离子体来增强化学反应的速率。

答案：低压环境

4.金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术主要利用________和

________作为前驱体。

答案：金属有机化合物；非金属氢化物

5.热分解CVD是一种通过加热前驱体使其________和________来沉积

薄膜的方法。

答案：分解；沉积

三、简答题

1.简述化学气相沉积技术的基本原理及其应用。

答案：化学气相沉积技术是利用气态前驱体在高温下于固体基片表面

发生化学反应，从而形成固态薄膜的一种方法。该技术广泛应用于半

导体制造、涂层、光学材料和生物材料的制备等领域。

2.描述等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术的特点及其优势。

答案：等离子体增强化学气相沉积技术通过在低压环境中产生等离子

体，可以显著提高化学反应速率，降低沉积温度，并改善薄膜的均匀

性和附着力。其优势在于能够制备出具有优异性能的薄膜，同时减少

高温处理可能带来的损害。

3.说明金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术的工作原理及其在材料

科学中的重要性。

答案：金属有机化学气相沉积技术通过使用金属有机化合物和非金属

氢化物作为前驱体，在较高温度下进行气相反应，沉积出高纯度的薄

膜材料。MOCVD在制备III-V族化合物半导体、稀土材料以及多功能薄

膜等方面具有重要作用，对于发展高性能电子器件和光电子器件至关

重要。

四、论述题

1.论述化学气相沉积技术在现代电子工业中的应用及其面临的挑战。

答案：化学气相沉积技术在现代电子工业中主要用于制备半导体器件、

光伏材料、微电机件等。其能够生产出具有特定性能和结构的薄膜和

涂层，对于提高器件性能和降低成本具有重要意义。然而，CVD技术面

临的挑战包括提高沉积速率、降低能耗、减少副产物以及提高工艺的

可控性和重复性等。

2.分析化学气相沉积过程中影响薄膜质量的因素，并提出改善措施。

答案：影响化学气相沉积过程中薄膜质量的因素包括前驱体的选择、

反应温度、气体流量、压力、基片处理以及环境控制等。改善措施包

括优化前驱体配比、精确控制反应条件、使用高纯度气体、预处理基

片以及维持洁净的沉积环境等。通过这些措施，可以有效提高薄膜的

均匀性、纯度和附着力，从而获得更高质量的沉积薄膜。