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摘要
几十年来,半导体功率器件的发展一直是半导体工业的驱动力,近年来,随着电子电力科技的发展,对于VDMOS的研究成为日趋热门的话题。VDMOS它不仅具有开关速度快、驱动性能低、耗能低等优点,而且高低压大功率,稳定性好,有负温度系数,不产生二次击穿等特点。
介绍了功率半导体器件的背景和发展现状及应用前景,学习了VDMOS的原理和结构,了解了P型VDMOS与其他器件的不同之处。从原理中知道VDMOS的阈值电压Vth反映了器件漏极与源极之间能够导通时的栅电压值,而击穿电压BVds则决定了器件的最高工作电压。在前期完成结构设计的基础上使用计算机软件TCAD对器件的工艺流程和电参
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