半导体光电子器件-半导体光电子器件.ppt

半导体光电子器件物理基础§2.8MIS结构一、能带结构2.平带状态Vs接近平带状态时，Vs趋于0，此时平带电容在p型半导体中，pn0np0半导体光电子器件物理基础§2.8MIS结构一、能带结构3.多数载流子耗尽状态4.本征状态半导体光电子器件物理基础§2.8MIS结构一、能带结构5.少数载流子反型状态当时，强反型半导体光电子器件半导体光电子器件物理基础一、同质pn结（§2.1--§2.6）二、MIS结构（§2.8）三、金属与半导体接触（§2.7）四、异质结与量子阱（§2.9）基本物理属性基本特性半导体光电子器件§2.1pn结的物理基础半导体光电子器件物理基础一、pn结的形成突变结杂质分布缓变结杂质分布pn结是指采用某种技术在一块半导体材料内形成共价键结合的p型和n型区，p型区和n型区的界面及其两侧少数载流子扩散长度范围的区域，称为pn结。pn结的p型区和n型区可以是同一种半导体材料，也可以是两种不同的半导体材料，前者称为同质pn结，后者称为异质pn结。§2.1pn结的物理基础半导体光电子器件物理基础二、平衡pn结空间电荷区与自建电场pn结空间电荷区的形成同质pn结示意图1.空间电荷区2.自建电场与电流空间电荷区内空穴流密度空间电荷区内电子流密度其中§2.1pn结的物理基础半导体光电子器件物理基础二、平衡pn结空间电荷区与自建电场3.接触电势差4.能带结构积分得则平衡pn结费米能级处处相等§2.1pn结的物理基础半导体光电子器件物理基础二、平衡pn结空间电荷区与自建电场5.载流子分布6.耗尽近似空间电荷区电子和空穴浓度分布示意图空穴和电子在空间电荷区依指数规律分布，在边界内侧下降极为迅速，使绝大部分空间电荷区内的载流子浓度与中性区相应的多子浓度相比可以忽略空间电荷区又被称为耗尽区，或耗尽层§2.2非平衡pn结半导体光电子器件物理基础一、非平衡突变pn结电场分布正、负空间电荷区内泊松方程非平衡pn结是指由外加偏置电压的pn结。将p区置为高电位、n区置为低电位的偏置电压称为正向偏置，反之称为反向偏置边界条件由上最高电场强度§2.2非平衡pn结半导体光电子器件物理基础二、非平衡突变pn结空间电荷区宽度电场分布曲线下所围面积为空间电荷区两侧边界间电势差空间电荷区宽度§2.2非平衡pn结半导体光电子器件物理基础三、非平衡线性缓变pn结电场分布界面附近施主、受主杂质浓度分布和电荷密度电场强度为杂质浓度及空间电荷分布电场分布αj为杂质浓度分布梯度最大电场强度为空间电荷区宽度为半导体光电子器件物理基础一、非平衡pn结能带结构零偏、正偏、反偏能带结构§2.3非平衡pn结的能带结构与载流子分布§2.3非平衡pn结的能带结构与载流子分布半导体光电子器件物理基础一、非平衡pn结能带结构--费米能级正偏反偏§2.3非平衡pn结的能带结构与载流子分布半导体光电子器件物理基础二、非平衡pn结载流子分布正偏反偏§2.4pn结的直流电学特性半导体光电子器件物理基础一、I-V方程正向偏置反向偏置小注入条件下，x=xn处，空穴的扩散流密度电子的扩散流密度通过pn结的总电流密度为半导体光电子器件物理基础§2.4pn结的直流电学特性一、I-V方程若半导体光电子器件物理基础§2.4pn结的直流电学特性一、I-V方程温度对电流密度的影响很大半导体光电子器件物理基础§2.4pn结的直流电学特性一、I-V方程Si-pn结理论曲线与和实验曲线的示意图1.反偏：空间电荷区载流子浓度低于平衡值；载流子的产生率高于复合率，空间电荷区内存在净的产生电流；反向电流是反向扩散流与产生流之和。Si(和GaAs)等本征载流子浓度较低，空间电荷区内载流子产生流在反向电流中起支配作用，所以理论值与实验值相差较大。Ｇe本征载流子浓度较高，反向扩散流远远大于产生流，理论值与实际符合较好。半导体光电子器件物理基础§2.4pn结的直流电学特性二、电流注入比2.正偏小电流：空间电荷区内载流子浓度高于平衡值；载