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摘要
随着科技的不断进步及社会发展需求的不断提高，传统材料如硅锗的性能已不能满足人们的需求。碳化硅（SiC）是典型的半导体材料，SiC器件在高温高频率，以及在大功率，抗辐照等方面都是很好，其具有更高的电子饱和速度、更高的热导率等等，其中在功率方面，SiC的击穿电压比传统Si材料高一个数量级，这也使得SiC材料更加有用武之地。
本文选用高功率器件的代表垂直双扩散型场效应晶体管作为研究对象，即VDMOSFET(vertical-double-
diffusedmental-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)，并利用silvaco仿
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