集成电路版图设计项目教程 项目5 电容电阻电感版图.pptx

6/8/2022

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《集成电路版图设计项目教程》

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三电感版图认知

电容版图认知

电阻版图认知

二

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任务5.1电阻版图认知

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任务5.1电阻版图认知

（3）电阻版图常用形状

.电阻版图的形状一般由三种，最简单的就是一个矩形电阻如图上所示。它两端是接触孔，通过接触孔将接触的导电材料连起来，这样几乎所有的电流都通过一个接触孔，经过这个接触孔流过导体，后经另一个接触孔流出。电阻的计算长度为两个接触孔之间的距离，宽度为电阻体的宽度。

.第二种版图形状一般适合于大电阻，通常被做成折叠状，如图中所示一般采用矩形拐角，容易绘制，电阻拐角以及其间距容易调整。一般不作成圆形或其他特殊形状，这样不宜调整。电流不会均匀的流过折叠电阻的拐角处。

.另外的一种版图形状主要适用于当电阻体部分宽度很小，版图绘制时，接触孔无法放入电阻内部。这时通常加大电阻的两端，形状如图下所示，称为哑铃状电阻。

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任务5.1电阻版图认知

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任务5.1电阻版图认知

（4）电阻版图类型

2）多晶硅电阻

.多晶硅的电阻率取决于掺杂，重掺杂的多晶硅用作MOS管栅极可以改善电阻的导电性能。本征掺杂或者轻掺杂的多晶硅采用N型源漏注入和P型源漏注入的掺杂方式来改变方块电阻。

.多晶硅电阻结构如图上中所示，图上是以POLY1做电阻时的版图，图中由轻掺杂的N型多晶硅构成的高阻多晶

POLY2电阻。POLY2电阻在端头处多加了N型注入，是为了降低端头接触电阻。

.如果在做注入时把多晶硅电阻挡住，那么它的电阻值将增加2-3倍。如图下所示，在注入时加一个HR的掩模板，

电阻体的部分被挡住，只有电阻两端头的地方留出，以便掺杂注入来减少欧姆接触电阻。

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任务5.1电阻版图认知

任务5.1电阻版图认知

（4）电阻版图类型

在制作多晶电阻时，和现代工艺直接相关。

.了解一下三种工艺Silicide、Policide、Salicide，都是利用硅化物来降低多晶电阻。其中，Silicide是金属硅化物，是由金属和硅经过物理-化学反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，

而Policide和Salicide则是指不同的形成Silicide的工艺流程。

下面对这两个流程的区别简述如下：

Policide工艺

其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅，然后在多晶硅上继续生长金属硅化物Silicide，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其它工序，完成整个芯片制造。

Salicide工艺

先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在多晶硅上淀积一层金属层，然后进行第一次快速升温煺火处理，使多晶硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。

区别：polycide降低栅极电阻；silicide降低源漏电阻；salicide既能降低栅极电阻，又能降低源漏电阻。

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任务5.1电阻版图认知

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三电感版图认知

电阻版图认知

电容版图认知

一

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任务5.2电容版图认知

（2）电容版图的类型

.CMOS工艺中常用的有MOS电容、多晶硅-多晶硅（PIP）电容、金属-金属（MIM）电容、MOM电容（Metal-

Oxide-Metal），下面分别介绍其结构和特性。

1）MOS电容

MOS晶体管可用作电容，也叫感应沟道的单层多晶硅MOS

电容器，此电容器结构如图所示，它是以栅氧化层作为介质，多晶硅为上极板，衬底为下极板。工作在反型区的MOS电容要求源漏相连，一旦出现强反型，导电沟道就会使源漏短接。此时，沟道就是MOS电容的下极板，多晶硅构成电容的上极板，MOS电容的版图与常规MOS晶体管的版图一样。电容值

就是栅氧电容。

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任务5.2电容版图认知

（2）电容版图的类型

2）多晶硅-多晶硅电容

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容（Poly-Insolator-Poly，PIP）需要两次多晶硅工艺，比单层多晶硅要多几道工序。

Polycide工艺除了大面积掺杂的多晶硅栅之外，还增加了第二层用于制作多晶高阻。多晶硅栅用作PIP电容的下极板，

而高阻的多晶层作为上极板，如图所示。PIP电容的上下极板不能互换。PIP不可避免的存在寄生电容，如电容上极板与上层