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玻璃仪器光刻技术与应用考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.光刻技术中，最常用的光源是：（）

A.紫外光

B.可见光

C.红外光

D.X射线

2.下列哪种材料常用于玻璃光刻的掩模制作？（）

A.硅片

B.石英

C.铬

D.铜

3.光刻过程中，光学镜头的数值孔径（NA）与以下哪项因素无关？（）

A.光波长

B.镜头直径

C.焦距

D.媒介折射率

4.以下哪种技术不是光刻技术的一种？（）

A.接触式光刻

B.投影式光刻

C.电子束光刻

D.原子层光刻

5.光刻过程中，光致抗蚀剂的作用是：（）

A.防止曝光

B.吸收光能

C.固化掩模

D.形成图案

6.下列哪种设备不是光刻过程中常用的设备？（）

A.曝光机

B.显影机

C.离子束刻蚀机

D.洗片机

7.光刻技术中，通常所说的“1:1光刻是”指：（）

A.掩模与硅片尺寸相同

B.掩模与曝光区域尺寸相同

C.掩模与显影区域尺寸相同

D.掩模与镜头焦距相同

8.以下哪种材料不适用于光刻过程中的抗蚀剂？（）

A.聚合物

B.光刻胶

C.硅烷

D.氧化硅

9.光刻技术中，分辨率受到以下哪项因素的影响？（）

A.光源波长

B.掩模质量

C.抗蚀剂类型

D.所有上述因素

10.以下哪个步骤不是光刻过程的基本步骤？（）

A.曝光

B.显影

C.刻蚀

D.洗涤

11.光刻过程中，曝光时间过长可能导致：（）

A.图案失真

B.抗蚀剂过度固化

C.掩模损坏

D.硅片污染

12.下列哪种光刻技术适用于高分辨率图案制作？（）

A.接触式光刻

B.投影式光刻

C.深紫外光刻

D.电子束光刻

13.在光刻过程中，抗蚀剂的显影过程是：（）

A.暴露区域固化，未暴露区域溶解

B.暴露区域溶解，未暴露区域固化

C.所有区域溶解

D.所有区域固化

14.以下哪种材料常用作光刻过程中的底涂剂？（）

A.硅烷

B.光刻胶

C.丙酮

D.水

15.光刻技术中，掩模上的缺陷可能会导致：（）

A.图案偏移

B.图案缺失

C.分辨率下降

D.曝光不均匀

16.下列哪种光刻方法适用于小批量生产？（）

A.接触式光刻

B.投影式光刻

C.紫外光刻

D.原子层光刻

17.光刻过程中，曝光区域的尺寸与以下哪项因素无关？（）

A.掩模图案尺寸

B.镜头焦距

C.光波长

D.抗蚀剂厚度

18.以下哪种现象在光刻过程中可能出现？（）

A.线宽变化

B.对位偏移

C.晶格缺陷

D.所有上述现象

19.光刻技术在以下哪个领域的应用最为广泛？（）

A.集成电路制造

B.生物医学

C.建筑装饰

D.新能源开发

20.在光刻技术中，以下哪个过程不属于后处理步骤？（）

A.显影

B.去除抗蚀剂

C.刻蚀

D.检验

（注：以下为答案，请自行填写）

答案：1.A2.C3.B4.D5.D6.C7.B8.D9.D10.D11.B12.D13.A14.A15.B16.A17.D18.D19.A20.A

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.光刻技术在半导体制造中的应用包括以下哪些？（）

A.集成电路

B.微机电系统

C.光学元件

D.生物芯片

2.以下哪些因素会影响光刻的分辨率？（）

A.光源波长

B.掩模的缺陷

C.抗蚀剂的灵敏度

D.光刻机镜头的数值孔径

3.光刻过程中，掩模的作用有哪些？（）

A.遮挡不需要曝光的区域

B.决定图案的形状和大小

C.提高分辨率

D.减少曝光时间

4.以下哪些属于光刻胶的特点？（）

A.对紫外光敏感

B.易于显影

C.高热稳定性

D.可以多次曝光

5.下列哪些技术可以用于光刻过程中的图形转移？（）

A.光刻

B.刻蚀

C.化学气相沉积

D.离子注入

6.光刻技术的优点包括哪些？（）

A.高分辨