磁控溅射有机衬底ZnO_SnO_2透明导电膜的结构和光电特性_黄树来.pdfVIP

630功能材料2004年第5期(35)卷

ZnOBSnO透明导电膜的结构和光电特性X

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黄树来,马瑾,计峰,余旭浒,王玉恒,马洪磊

(山东大学物理与微电子学院,山东济南250100)

摘要:采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低溅射所用陶瓷靶具有多晶结构,并且存在SnO(S)和ZnSnO

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电阻率和良好附着性的ZnOBSnO透明导电膜。研究了制备(Z)两相。因为ZnSnO在700e以上会分解成ZnSnO和

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ZnOBSnO薄膜的结构、成分和光电性质。制备薄膜为非晶结SnO[5],而靶材料的烧结温度为1400e,所以靶中不存在Zn-

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构,有机衬底ZnOBSnO透明导电膜的最低电阻率约10-28#cm,[8]

SnO相。这与Kovacheva所得到的结果是一致的。图2给出

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可见光平均透过率82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,氧了玻璃衬底ZnOBSnO薄膜退火前后的XRD谱。薄膜制备过程

空位是薄膜中载流子的主要来源。中氧分压为2mPa。图2(a)是退火前薄膜的XRD谱,没有衍射

关键词:有机衬底;ZnOBSnO薄膜;磁控溅射峰出现,表明是非晶结构;图2(b)是样品在空气中500e退火

中图分类号:TN304.2;TN304.055文献标识码:A处理后得到的XRD谱,可以看到薄膜仍然是非晶结构,只是非

文章编号:1001-9731(2004)05-0630-02[6][9]

晶包的强度略有增大。这与H.Enoki和T.Minami等人的

1引言结果是一致的。

氧化物透明导电膜在光电器件等领域已得到了广泛的应

用[1,2]。有机衬底透明导电膜具有可挠曲、质量轻和不易碎等

优点,在有机光电器件等方面有着广泛的应用前景。目前常用

的透明导电膜存在以下列问题:ITO薄膜中铟扩散导致器件性

能衰减;ZnO薄膜表面和晶粒间界吸附氧导致电学性能下降;

SnO难以刻蚀;CdSnO有毒,不宜大量生产。ZnOBSnO薄膜

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