原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
GaN场效应管结构设计及性能仿真
摘要
氮化镓作为第三代半导体凭借其优良的特性而逐渐受到人们的青睐，而在众多半导体器件中，GaNMOSFET结构器件近年来逐渐成为研究的热潮，该结构器件解决了GaNHEMT器件栅泄漏电流过大的问题，且功率消耗低。但是现
阶段的技术和工艺水平有限，很难对p型衬底进行掺杂，构建GaN材料的有限而且性能也不理想，诸多因素制约着
GaNMOSFET器件研发与应用。
针对上述问题，本课题从计算机模拟的角度对GaN场效应管的基本特性进行了分析。研究包括：在新一代TCAD器件物理特性仿真工具Silvaco软件的基础上，利用工艺仿真软件Athena建立新的
文档评论（0）