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国硅集成电路技术（无锡）有限公司G2022

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion2.0,2022.10.20

G2022250V1.2A单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

自举工作的浮地通道G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯

最高工作电压为+250V

片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑

用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯

dV/dt耐受能力可达±50V/ns

S

Vs负偏压能力达-9V片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或

栅极驱动电压从5V到20VLSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防

集成欠压锁定电路

直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压

--欠压锁定正向阈值4.4V

侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达

--欠压锁定负向阈值4.2V

防直通死区逻辑250V。G2022采用SOIC8封装，可以在-40℃至

--死区时间设定200ns125℃温度范围内工作。

芯片传输延时特性

--开通/关断传输延时Ton/Toff150ns/140ns器件信息

--延迟匹配时间50ns

零件号封装封装尺寸（标称值）

宽温度范围-40°C~125°C

输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5AG2022SOIC84.9mm*3.9mm

符合RoSH标准

SOIC8(S)简化示意图

G2022

2应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

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