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第一章常用半导体器件
1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体
管的类型是[]
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管图1.1e2V6Vc
D.PNP型锗管1.3Vb
1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[]
A.饱和
B.放大
C.截止图1.2
D.已损坏
1.3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整
到V=10V，则电流的大小将是[]
A.I=2mAB.I2mA
C.I2mAD.不能确定
图1.3
O
1.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20C时测得二极管的电压
O
U=0.7V。当温度上生到为40C时,则U的大小将是
DD
[]
A.仍等于0.7VB.大于0.7V
C.小于0.7VD.不能确定
图1.4
1.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[]
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是[]
A.IB.IC.ID.I
CBOCESCERCEO
1.7二极管的主要特性是[]
A.放大特性B.恒温特性
C.单向导电特性D.恒流特性
1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流I将[]
CBO
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
1.9下列选项中，不属三极管的参数是[]
A.电流放大系数βB.最大整流电流I
F
C.集电极最大允许电流ID.集电极最大允许耗散功率P
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