黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法.docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN106601765A

(43)申请公布日2017.04.26

(21)申请号CN201611169899.5

(22)申请日2016.12.16

(71)申请人深圳市华海技术有限公司

地址518000广东省深圳市南山区高新中二道5号生产力大楼A单元六层602

(72)发明人吕学刚

(74)专利代理机构深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)

代理人张约宗

(51)Int.CI

H01L27/146

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法

(57)摘要

本发明涉及黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法，黑白CMOS图像传感器包括硅衬底、氧化层、光刻胶层、以及若干氮氧化硅单元。硅衬底上形成有感光有效区，氧化层位于硅衬底一侧，且上形成有与感光有效区对应的凹陷区，以避让感光有效区。光刻胶层覆盖在氧化层上，光刻胶层上形成有与感光有效区位置对应并向下凹陷的阱区，阱区与凹陷区对应连通，避让感光有效区。凹陷区、阱区内设置有氮氧化硅单元，氮氧化硅单元覆盖在感光有效区位置上，向阱区外凸起，且向外凸起的表面为弧面，可以让入射光入射后向下聚焦，在氮氧化硅单元内部向下全反射，在底端光线全部射出到感光有效区，避免入射光线对旁边像素进行串扰和入射光子的损失，提高了量子效率。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

权利要求说明书

1.一种黑白CMOS图像传感器,其特征在于,包括硅衬底(1)、氧化层(2)、光刻胶层(3)、以及若干氮氧化硅单元(41);

所述硅衬底(1)上形成有感光有效区(11),所述氧化层(2)位于硅衬底(1)一侧,且所述上形成有与所述感光有效区(11)对应的凹陷区(21),以避让所述感光有效区(11);

所述光刻胶层(3)覆盖在所述氧化层(2)上,所述光刻胶层(3)上形成有与所述感光有效区(11)位置对应并向下凹陷的阱区(31),所述阱区(31)与所述凹陷区(21)对应连通,避让所述感光有效区(11);

所述凹陷区(21)、阱区(31)内设置有所述氮氧化硅单元(41),所述氮氧化硅单元(41)覆盖在所述感光有效区(11)位置上,向所述阱区(31)外凸起,且向外凸起的表面为弧面。

2.根据权利要求1所述的黑白CMOS图像传感器,其特征在于,所述氮氧化硅单元(41)为向外凸起的半球状。

3.根据权利要求1所述的黑白CMOS图像传感器,其特征在于,所述阱区(31)为蚀刻形成。

Claim4.根据权利要求1至3任一项所述的黑白CMOS图像传感器,其特征在于,所述硅衬底(1)上分布有若干感光有效区(11),且每一所述感光有效区(11)对应的形成有所述氮氧化硅单元(41)。

Claim5.根据权利要求1至3任一项所述的黑白CMOS图像传感器,其特征在于,所述硅衬底(1)为P型硅衬底。

6.一种提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、硅衬底(1)上形成有感光有效区(11),在所述硅衬底(1)的所述感光有效区(11)所在侧上生长一层氧化层(2);

S2、在所述氧化层(2)上涂上光刻胶形成光刻胶层(3),在所述感光有效区(11)对应的区域曝光、显影,在所述光刻胶层(3)上形成与所述感光有效区(11)位置对应向下凹陷的阱区(31);

S3、在与所述阱区(31)对应的氧化层(2)进行蚀刻形成凹陷区(21),所述凹陷区(21)的底部到所述感光有效区(11);

S4、在所述光刻胶层(3)一侧进行LPCVD(LowPressureChemicalVaporDeposition低压力化学气相沉积法)氮氧化硅的生长,形成氮氧化硅层(4);

S5、对所述氮氧化硅层(4)位于所述感光有效区(11)外的区域曝光,将所述阱区(31)外的高出的部分蚀刻掉;

S6、进行高温退火回流,所述氮氧化硅层(4)在每一所述凹陷区(21)、阱区(31)内形成向所述阱区(31)外凸起的氮氧化硅单元(41),所述氮氧化硅单元(41)向所述阱区(31)外凸起,且向外凸起的表面为弧面。

7.根据权利要求6所述的提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法,其特征在于,所述氮氧化硅单元(41)为向外凸起的半球状。

8.根据权利要求6所述的提高黑白CMOS图像传感器感光度的制造方法,其特征在于,所述阱区(31)为蚀刻形成。