半导体制造过程控制系统（PCS）系列：蚀刻控制系统_16.蚀刻工艺设计与仿真.docxVIP

半导体制造过程控制系统（PCS）系列：蚀刻控制系统_16.蚀刻工艺设计与仿真.docx

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16.蚀刻工艺设计与仿真

16.1蚀刻工艺的物理基础

蚀刻是半导体制造过程中一个至关重要的步骤，用于去除材料以形成特定的图案。蚀刻工艺可以分为干法蚀刻和湿法蚀刻两大类。干法蚀刻通常在等离子体环境中进行，具有高选择性和高精度的特点，而湿法蚀刻则通过化学溶液去除材料，适用于大面积和深槽的蚀刻。

16.1.1干法蚀刻的物理机制

干法蚀刻主要依赖于等离子体产生的活性离子和自由基来去除材料。等离子体是由气体在高能电场中电离产生的，其中的活性离子和自由基会在电场的作用下加速撞击基板表面，通过物理和化学作用去除材料。干法蚀刻的主要机制包括：

物理蚀刻（离子轰击）

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