SiO2复合气凝胶的制备及其原位碳热生成碳化硅和氮化硅纳米线的研究的.pdfVIP

RF/SiO2复合气凝胶的制备及其原位碳热生成碳化

硅和氮化硅纳米线的研究的开题报告

一、研究背景和意义

纳米材料在能源、电子、生物、环境等领域具有广泛应用，其中气

凝胶是一种高效率制备纳米材料的方法之一。RF凝胶是由R基团（丙烯

酸甲酯）和F基团（氟化苯乙烯）组成的共聚物，有较高的亲水性和表

面活性。SiO2是一种广泛应用于各个领域的材料，可用于光学、电子、

催化、生物等领域，其制备方法也多种多样。将RF基团与SiO2材料复

合制备气凝胶，可以得到具有优良性能的复合材料。作为重要的非金属

材料，碳化硅和氮化硅分别具有优异的高硬度、高热稳定性和光电性能，

是制备新型纳米材料的理想选择。同时，利用碳热生成法在RF/SiO2复

合气凝胶的高温还原条件下，可实现碳化硅和氮化硅纳米线的原位生长，

使复合材料的性能得到了进一步提升。

二、研究内容和方法

本研究主要分为两部分：

1.RF/SiO2复合气凝胶的制备

通过水解缩合法合成SiO2制备SiO2凝胶，然后将RF基团与SiO2

凝胶复合，在合适的条件下制备出RF/SiO2复合气凝胶。

2.RF/SiO2复合气凝胶中碳热生成碳化硅和氮化硅纳米线

利用碳热生成法，将RF/SiO2复合气凝胶在高温还原气氛下热处理，

使其中的碳元素原位生长成碳化硅和氮化硅纳米线。通过SEM、TEM、

XRD、Raman等手段对复合材料中碳化硅和氮化硅纳米线的形貌、结构

和光学性能等方面进行表征分析。

三、预期研究成果和意义

本研究旨在通过制备RF/SiO2复合气凝胶并利用碳热生成法在复合

材料中原位生长碳化硅和氮化硅纳米线，实现纳米材料的制备，并对纳

米材料的性能进行研究和分析。预期研究成果包括：制备出具有优良性

能的RF/SiO2复合气凝胶，以及原位生长的碳化硅和氮化硅纳米线；探

究复合材料的形貌、结构和光学性能等方面特征，并对其应用前景进行

初步探讨。本研究对于拓展材料学领域中纳米材料制备和应用的研究具

有重要的意义和推进作用。