士兰微代理商SVT043R0NL5深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVT043R0NT/L5说明书

180A、40VN沟道增强型场效应管

描述2

SVT043R0NT/L5N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰S18D

S27D

的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

1S36D

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

G45D

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点1.栅极2.漏极3.源极

180A，40V，R=2.6m@V=10V

DS(on)（典型值）GS

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快765

提升了dv/dt能力512

TO-220-3L21

该用户很懒，什么也没介绍

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