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士兰微电子SVSP8NE100FJD(P7)D2说明书

8A,1000V超结MOS功率管

描述2

SVSP8NE100FJD(P7)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采

用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，1

使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP8NE100FJD(P7)D2应用广泛。如，适用于硬/软开3

关拓扑。1.栅极2.漏极3.源极

特点

8A，1000V，RDS(on)(typ.)=0.6@VGS=10V1

23

创新高压技术

TO-220FJD-3L

1

低栅极电荷23

较强的雪崩能力TO-247-3L

较强的dv/dt能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合RoHS环保标准

关键特性参数

参数参数值单位

VDS@TJ.max1050V

VGS(th)2.5~4.5V

RDS(on),max.0.8

ID.pulse32A

Qg.typ.24nC

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVSP8NE100FJDD2TO-220FJD-3LP8NE100D2无卤料管

SVSP8NE100P7D2TO-247-3LP8NE100D2无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1

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士兰微电子SVSP8NE100FJD(P7)D2说明书

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

J

参数值

参数