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SVT068R5NT/D/S/L5说明书

80A、60VN沟道增强型场效应管

描述

SVT068R5NT/D/S/L5N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用

先进的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。

特点

80A，60V，RDS(on)（典型值）7.0m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVT068R5NTTO-220-3L068R5NT无铅料管

SVT068R5NDTRTO-252-2L068R5ND无卤编带

SVT068R5NSTRTO-263-2L068R5NS无卤编带

SVT068R5NL5TRPDFN-8-5×6×0.95-1.27068R5NL5无卤编带



极限参数（除非特殊说明，T25C）

J

参数值

参数名称符号单位

SVT068R5NT/SSVT068R5NDSVT068R5NL5

漏源电压VDS60V

栅源电压VGS±20V

T25°C80

C

漏极电流IDA

T100°C57

C

漏极脉冲电流IDM320A

耗散功率（T25C）158107100W

C

PD

-大于25C每摄氏度减少1.050.70.67

W/C

单脉冲雪崩能量（注1）EAS