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士兰微电子SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2说明书
20A，600V超结MOS功率管
描述2
1
2
SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2N沟道增强型高压功率3
1
TO-262-3L
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导
3
损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行1
3
1.栅极2.漏极3.源极
为。TO-263-2L
此外，SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如，适用
于硬/软开关拓扑。12312
3
TO-220FJD-3LTO-220-3L
特点
20A，600V，RDS(on)(典型值)=0.16@VGS=10V
创新高压技术123TO-247-3L
123
低栅极电荷TO-3P
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP20N60FJDD2TO-220FJD-3LP
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