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硅片抛光液配方技术研究,抛光液成分分析及制备工艺

硅片抛光液配方技术研究，抛光原理及制备工艺导读本文主要介

绍了硅晶片的应用背景，分类，参考配方等，本文中的配方经过修改，

如果需要了解更详细，可咨询我们的相关技术人员。

禾川化学致力于硅片抛光液成分分析，配方还原，研发外包服务，

为硅片抛光液相关企业提供一整套配方技术解决方案。

1.背景

基于全球经济的快速发展，IC技术（Integratedcircuit,即集成电

路）已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域，成为世界第一

大产业。IC所用的材料主要是硅和砷化镓等,全球90%以上IC都采用

硅片。随着半导体工业的飞速发展，一方面，为了增大芯片产量，降

低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大；另一方面，为了提高IC

的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。半导体硅片抛光工艺是衔

接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，

并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重

任务。在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛

光工艺技术。

禾川化学技术团队具有丰富的分析研发经验，经过多年的技术积

累，可以运用尖端的科学仪器、完善的标准图谱库、强大原材料库，

彻底解决众多化工企业生产研发过程中遇到的难题，利用其八大服务

优势，最终实现企业产品性能改进及新产品研发。

样品分析检测流程：样品确认—物理表征前处理—大型仪器分析

—工程师解谱—分析结果验证—后续技术服务。有任何配方技术难题，

可即刻联系禾川化学技术团队，我们将为企业提供一站式配方技术解

决方案！

2.硅片抛光技术的研究进展

20世纪60年代中期前，半导体抛光还大都沿用机械抛光，如氧

化镁、氧化锆、氧化铬等方法，得到的镜面表面损伤极其严重。1965

年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶-凝胶抛光后，以氢氧化钠为介质

的碱性二氧化硅抛光技术就逐渐代替旧方法，国内外以二氧化硅溶胶

为基础研究开发了品种繁多的抛光材料。

随着电子产品表面质量要求的不断提高,表面平坦化加工技术也在

不断发展，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-

glass)、低压CVD(chemicalvapordeposit)、等离子体增强CVD、

偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方

法也曾在IC艺中获得应用,但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几

微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在0.35μm以下的全局平面

化要求。

1991年IBM首次将化学机械抛光技术(chemicalmechanical

polishing,简称CMP)成功应用到64MbDRAM的生产中,之后各种

逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向CMP,CMP将纳米粒子的研

磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来,满足了特征尺寸在0.35

微米以下的全局平面化要求。CMP可以引人注目地得到用其他任何

CMP可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面

形貌变化。目前,化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面

化技术，逐渐用于大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(ULSI)，

可进一步提高硅片表面质量，减少表面缺陷。

3.碱性二氧化硅化学机械抛光技术

3.1抛光液的组成

抛光液是CMP的关键要素之一,抛光液的性能直接影响抛光后表

面的质量.抛光液一般由超细固体粒子研磨剂(如纳米SiO2、Al2O3粒

子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成,固体粒子提供研磨作用,

化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。

3.2抛光机理

关于碱性SiO2的抛光机理，过去一般用化学及机械磨