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CRSM013N06L4Z
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS3N-MOSFET60V,1mΩ,250A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS60V
•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on).typ1mΩ
•ExcellentQxRproduct(FOM)ID250A
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria
100%DVDSTested
Applications100%AvalancheTested
•Motorcontrolanddrive
•BatterymanagementSystem
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSM013N06L4Z
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty
CRSM013N06L4Z013N06L4ZPDFN5*6TapeN/AN/A4000/5000pcs
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
Drain-sourcevoltageVDS60V
Continuousdraincurrent
T=25°C(Siliconlimit)I250A
CD
T=100°C(Siliconlimit)157
C
Pulseddraincurrent(T=25°C,tlimitedbyT)I1000A
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