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第1篇
一、实验目的
1.熟悉半导体材料的性质，掌握半导体材料的制备方法。
2.学习使用四探针法测量半导体材料的电阻率和薄层电阻。
3.掌握半导体材料霍尔系数和电导率的测量方法。
4.了解太阳能电池的工作原理，并进行性能测试。
二、实验原理
1.半导体材料：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率，其电导率受温
度、掺杂浓度等因素影响。本实验所用的半导体材料为硅（Si）。
2.四探针法：四探针法是一种测量半导体材料电阻率和薄层电阻的常用方法。通
过测量电流在半导体材料中流过时，电压的变化，可以得到材料的电阻率和薄层电
阻。
3.霍尔效应：霍尔效应是一种测量半导体材料霍尔系数和电导率的方法。当半导
体材料中存在磁场时，载流子在运动过程中会受到洛伦兹力的作用，导致载流子在
垂直于电流和磁场的方向上产生横向电场，从而产生霍尔电压。
4.太阳能电池：太阳能电池是一种将光能转化为电能的装置。本实验所用的太阳
能电池为硅太阳能电池，其工作原理是光生电子-空穴对在PN结处分离，产生电流。
三、实验仪器与材料
1.实验仪器：四探针测试仪、霍尔效应测试仪、太阳能电池测试仪、数字多用表、
温度计等。
2.实验材料：硅（Si）半导体材料、太阳能电池等。
四、实验步骤
1.四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻
（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在四探针测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算电阻率和薄层电阻。
2.霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率
（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在霍尔效应测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算霍尔系数和电导率。
3.太阳能电池性能测试
（1）将硅太阳能电池放置在太阳能电池测试仪上。
（2）按照仪器操作步骤进行测试，记录实验数据。
（3）计算太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数。
五、实验结果与分析
1.四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻
根据实验数据，计算得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻分别为：ρ=
0.3Ω·m，Rt=0.1Ω。
2.霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率
根据实验数据，计算得到硅半导体材料的霍尔系数和电导率分别为：RH=-
2.5×10^-4V/T，σ=5×10^3S/m。
3.太阳能电池性能测试
根据实验数据，计算得到硅太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数分
别为：Isc=20mA，Voc=0.5V，FF=0.6。
六、实验结论
1.通过四探针法测量，得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻，为后续实验奠定
了基础。
2.通过霍尔效应测量，得到硅半导体材料的霍尔系数和电导率，进一步了解了半
导体材料的性质。
3.通过太阳能电池性能测试，掌握了太阳能电池的工作原理，为太阳能电池的应
用提供了参考。
4.本次实验成功完成了半导体材料的制备、测量和分析，达到了实验目的。
第2篇
一、实验目的
1.了解半导体材料的基本特性，包括电阻率、霍尔系数、光电导等。
2.掌握四探针法、霍尔效应法等测量半导体材料特性的实验方法。
3.分析实验数据，验证半导体材料特性的理论值。
二、实验原理
1.四探针法：利用四探针测量样品的电阻率，通过测量不同电压下的电流，计算
出电阻率。
2.霍尔效应法：利用霍尔效应测量样品的霍尔系数，通过测量电流、电压和霍尔
电压，计算出霍尔系数。
3.光电导法：利用光电导衰退法测量样品的寿命，通过测量光照射下样品的电流
衰减情况，计算出寿命。
三、实验仪器与材料
1.实验仪器：四探针测试仪、霍尔效应测试仪、光电导测试仪、直流电源、光照
射源、样品夹具等。
2.实验材料：半导体样品（如硅、锗等）、实验电路板、连接线等。
四、实验步骤
1.四探针法测量电阻率
（1）将样品放置在四探针测试仪的样品台上，确保样品与探针良好接触。
（2）设置实验参数，包括测量电压、温度等。
（3）启动测试仪，测量不同电压下的电流，记录数据。
（4）根据实验数据，计算样品的电阻率。
2.霍尔效应法测量霍尔系数
（1）将样品放置在霍尔效应测试仪的样品台上，确保样品与探针良好接触。
（2）设置实验参数，包括测量电流、电压、磁场等。
（3）启动测试仪，测量电流、电压和霍尔电压，记录数据。
（4）根据实验数据，计算样品的霍尔系数。
3.光电导法测量寿命
（1）将样品放置在光电导测试仪的样品台上，确保样品
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