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报告说明
随着终端产品的整体技术水平要求越来越高，功率半导体分立器
件技术也在市场的推动下不断向前发展，CAD设计、离子注入、溅射、
多层金属化、亚微米光刻等先进工艺技术已应用到分立器件生产中，
行业内产品的技术含量日益提高、制造难度也相应增大。目前日本和
美国等发达国家的功率器件领域，很多VDMOS（功率场效应管）、IGBT
产品已采用VLSI（超大规模集成电路）的微细加工工艺进行制作，生
产线已大量采用8英寸、0.18微米工艺技术，大大提高了功率半导体
分立器件的性能。
根据谨慎财务估算，项目总投资9002.62万元，其中：建设投资
7468.67万元，占项目总投资的82.96%；建设期利息103.23万元，占
项目总投资的1.15%；流动资金1430.72万元，占项目总投资的
15.89%。
项目正常运营每年营业收入15800.00万元，综合总成本费用
13792.89万元，净利润1456.42万元，财务内部收益率9.70%，财务
净现值-1187.84万元，全部投资回收期7.27年。本期项目具有较强的
财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。
项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合
理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，
这也奠定了公司可持续发展的基础。
本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进
行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板
用途。
目录
第一章行业发展分析8
一、半导体分立器件行业发展概况.8
二、半导体分立器件行业发展趋势.9
第二章项目建设单位说明.
一、公司基本信息11
二、公司简介.11
三、公司竞争优势12
四、公司主要财务数据13
公司合并资产负债表主要数据13
公司合并利润表主要数据13
五、核心人员介绍14
六、经营宗旨.15
七、公司发展规划15
第三章项目建设背景及必要性分析
一、半导体行业发展概况20
二、半导体分立器件行业特点.21
三、建设产业链高效协同的先进制造业集群
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