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Fab厂常用术语

Fab厂常用术语

somephrasesandwordsinFABcleanroomsystem

A.M.U原子质量数

ADIAfterdevelopinspection显影后检视!n(\+q8_%gz

AEI蚀科后检查%Y4_+@7^%v9U,g

Alignment排成一直线，对平7B:R)M;BR#i5d

Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值ARC：

anti-reflectcoating防反射层

ASHER:一种干法刻蚀方式

ASI光阻去除后检查

Backside晶片背面

BacksideEtch背面蚀刻

Beam-Current电子束电流

BPSG:含有硼磷的硅玻璃

Break中断，stepper机台内中途停止键

Cassette装晶片的晶舟

CD：criticaldimension关键性尺寸

Chamber反应室

Chart图表

Childlot子批

Chip(die)晶粒

CMP化学机械研磨

Coater光阻覆盖（机台）

Coating涂布，光阻覆盖

ContactHole接触窗

ControlWafer控片

Criticallayer重要层

CVD化学气相淀积

Cycletime生产周期

Defect缺陷

DEP:deposit淀积

Descum预处理%u$j$I6Z*J3g/j

Developer显影液；显影（机台）

Development显影

DG:dualgate双门

DIwater去离子水

Diffusion扩散

Doping掺杂

Dose剂量

Downgrade降级

DRC:designrulecheck设计规则检查

DryClean干洗

Duedate交期

Dummywafer挡片

E/R:etchrate蚀刻速率

EE设备工程师

EndPoint蚀刻终点

ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损

伤

ET:etch蚀刻

Exhaust排气（将管路中的空气排除）

Exposure曝光

FAB工厂

FIB:focusedionbeam聚焦离子束

FieldOxide场氧化层

Flatness平坦度

Focus焦距

Foundry代工

FSG:含有氟的硅玻璃

Furnace炉管

GOI:gateoxideintegrity门氧化层完整性/z5y$xX!J-Q@+

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H.M.D.SHexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层

增加光阻与晶片表面附着

力的化合物，称H.M.D.S

HCI:hotcarrierinjection热载流子注入

HDP：highdensityplasma高密度等离子体

High-Voltage高压

Hotbake烘烤

ID辨认，鉴定

Implant植入

Layer层次

LDD:lightlydopeddrain轻掺杂漏

Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污

LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化

Loop巡路

Lot批

Mask(reticle)光罩

Merge合并