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高三期中物理试题
一、单选题
1.气闸舱是空间站中供航天员进入太空或由太空返回用的气密性装置,其原理如图所示.座舱A与气闸舱B间装有阀门K,A中充满空气,B内为真空.航天员由太空返回到B时,将B封闭,打开阀门K,A中的气体进入B中,最终达到平衡,假设此过程中系统保持温度不变,舱内气体可视为理想气体,不考虑航天员的影响,则此过程中()
A.气体膨胀做功,内能减小
B.气体从外界吸收热量
C.气体分子在单位时间内对A舱壁单位面积碰撞的次数减少
D.一段时间后,A内气体的密度可以自发地恢复到原来的密度
【答案】C
【解析】
【分析】
【详解】AB.气闸舱B内为真空,打开阀门K,A中的气体进入B的过程中A内的气体自由扩散,对舱壁不做功,同时系统对外界没有热交换,根据热力学第一定律
可知气体内能不变,AB错误;
C.气体体积增大,温度不变,气体分子的密集程度减小,气体分子单位时间对A舱壁单位面积碰撞的次数减少,C正确;
D.根据熵增加原理可知,B中气体不能自发地全部退回到中,即A内气体的密度不可能自发地恢复到原来的密度,D错误。
故选C。
2.如图所示,相同规格和长度的电阻丝分别制成单匝正方形和圆形线框a、b,将两线框水平放在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度随时间均匀增加,则某时刻(??)
A.通过a、b线框的磁通量之比为4:π B.a、b线框的感应电动势之比为π:4
C.a、b线框中的感应电流之比为4:π D.a、b线框中的电功率之比为π:4
【答案】B
【解析】
【详解】A.设电阻丝长L,则正方形和圆形线框a、b面积分别为
根据
通过a、b线框的磁通量之比为
故A错误;
B.根据
a、b线框的感应电动势之比为
故B正确;
C.根据
a、b线框中的感应电流之比为
故C错误;
D.根据
a、b线框中的电功率之比为
故D错误。
故选B。
3.如图所示,一定质量的理想气体从状态开始经历过程①、②、③、④最后到达状态。下列说法错误的是()
A.过程①中,气体的体积逐渐减小 B.过程②中,气体对外界做正功
C.过程③中,气体从外界吸收了热量 D.气体在状态和时内能相等
【答案】A
【解析】
【详解】A.根据
PV=nRT
根据图线的特点可知,过程①中,气体的体积不变,故A错误;
B.过程②中,气体的压强不变,温度升高,体积增大,故气体对外界做正功,故B正确;
CD.过程③中,温度不变,气体内能不变,压强减小,体积增大,气体对外界做功,根据热力学第一定律可知,气体需要从外界吸热,故C、D正确。
本题选错误的,故选A。
4.如图甲所示为一种自耦变压器(可视为理想变压器)的结构示意图。线圈均匀绕在圆环型铁态上,滑动触头P在某一位置,在BC间接一个交流电压表和一个电阻R。若AB间输入图乙所示的交变电压,则()
A.时,电压表的示数为零
B.电阻R中电流方向每秒钟改变50次
C.滑动触头P逆时针转动时,R两端的电压增大
D.滑动触头P顺时针转动时,AB间输入功率增大
【答案】C
【解析】
【详解】A.电压表的示数是交流电的有效值,则时,电压表的示数不为零,选项A错误;
B.交流电的周期为0.02s,一个周期内电流方向改变2次,则电阻R中电流方向每秒钟改变100次,选项B错误;
C.滑动触头P逆时针转动时,次级匝数变大,则次级电压变大,即R两端的电压增大,选项C正确;
D.滑动触头P顺时针转动时,次级匝数减小,次级电压减小,次级消耗的功率减小,则AB间输入功率减小,选项D错误。
故选C。
5.对如图所示的图片、示意图或实验装置图,下列判断正确的是()
A.甲图属于薄膜干涉,也被称为“牛顿环”
B.乙图是薄膜干涉的应用,用来检测平面的平整程度
C.丙图是双缝干涉原理图,若P到、的路程差是半波长的奇数倍,则P处是亮条纹
D.丁图是薄膜干涉现象的实验装置图,在附有肥皂膜的铁丝圈上,出现竖直干涉条纹
【答案】B
【解析】
【详解】A.甲图是小孔衍射的图样,故A错误;
B.乙图是薄膜干涉的应用,用来检测平面的平整程度。若干涉条纹是直的干涉条纹则表明平面平整,故B正确;
C.图是双缝干涉原理图,若P到S1、S2的路程差是光的半波长的偶数倍,则P是亮纹,若P到S1、S2的路程差是光的半波长的奇数倍,则P是暗纹,故C错误;
D.丁图是薄膜干涉现象的实验装置图,在附有肥皂膜的铁丝圈上,出现水平干涉条纹,故D错误。
故选B。
6.一根长度为L、质量为m、粗细可忽略的导体棒A,紧靠在一个足够长的绝缘半圆柱体底端静止,半圆柱体固定在水平面上,导体棒A与半圆柱体表面间的动摩擦因数为μ,其截面如图所示。整个空间中加有沿半圆柱体半径向内的辐向磁场,半圆柱体表面处磁感应强度大小均为B,在导体棒A中通
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