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SiliconN-ChannelPowerMOSFET
CRTT019N03L2-G
GeneralDescription：VDSS30V
I（）260A
CRTT019N03L2-G,thesiliconN-channelEnhancedDSiliconlimitedcurrent
I（）120A
DPackagelimitedcurrent
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrench
PD178.5W
technologywhichreducetheconductionloss,improveswitching
RDS(ON)Typ1.5mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdevicecan
TO-220
beusedinloadswitchandpowerswitchapplications.Thepackage
formisTO-220,whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features：
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤1.9mΩ)
LowGateCharge
LowReversetransfercapacitances
100%SinglePulseavalancheenergyTest
HalogenFree
Applications：
loadswitchandpowerswitchapplications.
Absolute（Tj=25℃unlessotherwisespecified）
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage30V
ContinuousDrainCurrentTC=25°C260
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