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SiliconN-ChannelTrenchMOSFETR
○
CS12N05AEP-G
GeneralDescription：VDSS45V
ID12A
CS12N05AEP-G,thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs,is
P(T=25℃)3.1W
DC
obtainedbyadvancedtrenchTechnologywhichreducethe
RDS(ON)Typ(VGS=10V)11mΩ
conductionloss,improveswitchingperformanceand
enhancetheavalancheenergy.Thetransistorcanbeusedinvarious
powerswitchingcircuitforsystemminiaturizationandhigher
efficiency.ThepackageformisSOP-8,whichaccordswiththe
RoHSstandard.
Features：
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤15mΩ)
LowReversetransfercapacitances(Typical:115pF)
100%SinglePulseavalancheenergyTest
Halogenfree
Applications：
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute（TA=25℃unlessotherwisespecified）：
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage45V
ContinuousDrainCurrent12A
ID
ContinuousDrainCurrentTA=100°C7A
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