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AGMH022P10D
●GeneralDescription
TheAGMH022P10Dcombinesadvancedtrench
Prdu
octSummary
MOSFETtechnologywithalowresistance
packagetoprovideextremelylowRDS(ON).
ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID
protectionapplications.
-100V22mΩ-65A
●Features
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnologyTOuan
-25gtio
2PConfir
in
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGMH022P10DAGMH022P10DTO-252330mm16mm2500
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）-100V
VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V
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