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电磁干扰的屏蔽方法知识

EMC效果经常是制约中国电子产品出口的一个缘由，本文主要论述EMI的来源及一些十

分详细的抑制方法。

电磁兼容性(EMC)是指〝一种器件、设备或系统的功用，它可以使其在自身环境下正常

任务并且同时不会对此环境中任何其他设备发生剧烈电磁搅扰(IEEEC63.12-1987)。〞

关于无线收发设备来说，采用非延续频谱可局部完成EMC功用，但是很多有关的例子也

说明EMC并不总是可以做到。例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之

间以及蜂窝和医疗仪器之间等都具有高频搅扰，我们把这种搅扰称为电磁搅扰(EMI)。

EMC效果来源

一切电器和电子设备任务时都会有间歇或延续性电压电流变化，有时变化速率还相当快，

这样会招致在不同频率内或一个频带间发生电磁能量，而相应的电路那么会将这种能量

发射到周围的环境中。

EMI有两条途径分开或进入一个电路：辐射和传导。信号辐射是经过外壳的缝、槽、开

孔或其他缺口走漏出去；而信号传导那么经过耦合到电源、信号和控制线上分开外壳，

在开放的空间中自在辐射，从而发生搅扰。

很多EMI抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来完成，大少数时分下面这些复杂

原那么可以有助于完成EMI屏蔽：从源头处降低搅扰；经过屏蔽、过滤或接地将搅扰发

生电路隔离以及增强敏感电路的抗搅扰才干等。EMI抑制性、隔离性和低敏理性应该作

为一切电路设计人员的目的，这些功用在设计阶段的早期就应完成。

对设计工程师而言，采用屏蔽资料是一种有效降低EMI的方法。如今已有多种外壳屏蔽

资料失掉普遍运用，从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上放射涂层及镀层

(如导电漆及锌线喷涂等)。无论是金属还是涂有导电层的塑料，一旦设计人员确定作为外

壳资料之后，就可着手末尾选择衬垫。

金属屏蔽效率

可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性停止评价，其单位是分贝，计算公式为

SEdB=A+R+B

其中A：吸收损耗(dB)R：反射损耗(dB)B：校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个

反射的状况)

一个复杂的屏蔽罩会使所发生的电磁场强度降至最后的十分之一，即SE等于20dB；而

有些场所能够会要求将场强降至为最后的十万分之一，即SE要等于100dB。

吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗计算式为

AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t

其中f：频率(MHz)μ：铜的导磁率σ：铜的导电率t：屏蔽罩厚度

反射损耗(近场)的大小取决于电磁波发生源的性质以及与波源的距离。关于杆状或直线形

发射天线而言，离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的添加而下降，但平面波阻

那么无变化(恒为377)。

相反，假设波源是一个小型线圈，那么此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。波阻

随着与波源距离的添加而添加，但当距离超越波长的六分之一时，波阻不再变化，恒定

在377处。

反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化，因此它不只取决于波的类型，而且取决于屏蔽

罩与波源之间的距离。这种状况适用于小型带屏蔽的设备。

近场反射损耗可按下式计算

R(电)dB=321.8-(20×lgr)-(30×lgf)-[10×lg(μ/σ)]R(磁)dB=14.6+(20×lgr)+(10×lgf)+[1

0×lg(μ/σ)]

其中r：波源与屏蔽之间的距离。

SE算式最后一项为哪一项校正因子B，其计算公式为

B=20lg[-exp(-2t/σ)]

此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的状况。由于屏蔽物吸收效率不高，

其外部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量添加，所以校正因子是个正数，表示屏蔽

效率的下降状况。

EMI抑制战略

只要如金属和铁之类导磁率高的资料才干在极低频率下到达较高屏蔽效率。这些资料的

导磁率会随着频率添加而降低，另外假设初始磁场较强也会使导磁率降低，还有就是采

用机械方法将屏蔽罩作成规则外形异样会降低导磁率。综上所述，选择用于屏蔽的高导

磁性资料十分复杂，通常要向EMI屏蔽资料供应商以及有关咨询机构寻求处置方案。

在高频电场下，采用薄层金属作为外壳或内衬资料可到达良好的屏蔽效果，但条件是屏

蔽必需延续，并将敏感局部完全遮盖住，没有缺口或缝隙(构成一个法拉第笼)。但是在实

践中要制造一个无接缝及缺口的屏蔽罩是不能够的，由于屏蔽罩要分红多个局部停止制

造，因此就会有缝隙需求接合，另外通常