2017年西安理工大学820模拟电子技术基础考研大纲硕士研究生入学考试大纲.pdfVIP

西安理工大学研究生招生入学考试

《模拟电子技术基础》考试大纲

科目代码：820

科目名称：模拟电子技术基础

第一部分课程目标与基本要求

一、课程目标

本课程的目标是使考生获得模拟电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生的分析问题和解决问

题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容、为后续课程、为电子技术工程中的应用打好基础。

二、基本要求

熟悉半导体器件——二极管、双极型晶体管、绝缘栅型晶体管(MOS管)的外特性和主要参数，正确理解它们的工

作原理；熟悉基本电子电路的功能及有关概念、正确领会它们的工作原理；掌握分析模拟电子电路及其基本设计

方法，

第二部分课程内容与考核目标

第一章半导体器件基础

1半导体基础，要求达到“识记”层次

2半导体二极管，要求达到“简单应用”层次

2.1二极管的符号、伏安特性，单向导电性及主要参数；应用电路分析方法，限幅、整流电路波形分析及参数计算

2.2稳压二极管使用的一般条件，主要参数，典型的电路结构，及其限流电阻的选择。

3半导体晶体管，要求达到“领会”层次

3.1晶体管的结构和类型判别，电流分配关系。

3.2晶体管的伏安特性曲线，及其三个工作区各自的工作条件和特点、工作状态的判别。

3.3交流微变等效模型的结构与使用方法。

4场效应管，要求达到“领会”层次

4.1增强型MOS管的结构及工作原理

4.2增强型MOS管转移特性和输出特性，三个区的划分，工作在恒流区的条件。

4.3MOS管微变等效电路。

第二章放大电路及其分析方法

1放大的概念及其一般分析方法，要求达到“识记”层次

1.1放大的概念，放大电路的构成条件

1.2放大电路的一般分析步骤及动态静态的叠加关系

2晶体管基本放大电路，要求达到“综合应用”层次

2.2固定偏置共射放大电路结构、静态图解分析法、近似估算法；动态图解分析、最大不失真输出幅度，动态微

变等效电路法分析交流指标；直流通路、交流通路的画法；

2.2分压式偏置共射放大电路的结构特点和工作原理；静态计算、动态交流指标计算，与分压式功能共射电路的

比较；共射放大电路的一般特点。

2.3基本共集电极放大电路结构特点，和工作原理；静态计算、动态交流指标计算，与共射放大电路的比较。共

集电极放大电路的一般特点

2.4基本共基极放大电路结构特点；交流通路特点，共基极放大电路的一般特点；三种基本放大电路的比较。

2.5增强型MOS管放大电路的结构特点和工作原理；静态计算、动态交流指标计算。

第三章多级放大电路

1多级放大电路，要求达到“领会”层次

1.1放大电路的直接耦合零漂的概念；不同的耦合方式对放大器静态动态参数的影响。

1.2多级放大电路的动态分析基本方法。

1.3放大电路的频率特性一般概念的正确理解。

2差分放大电路，要求达到“综合应用”层次

2.1差模输入、共模是输入、差模放大倍数、共模放大倍数等相关概念、动态与静态的关系。

2.2长尾差分放大电路、恒流源差分放大电路的原理、直流通路、交流通路工作特点

2.3差分的四种接法的结构特点，相互之间的关系，静态动态的分析计算

第四章放大电路的平率响应

1放大电路的频响要求达到“领会”层次