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2021年全球及中国IGBT行业发展现状分析

一、概述

1、定义及分类

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝

缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有

MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能

源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战

略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能

源装备等领域应用极广。IGBT根据其电压等级的不同，可分为低压、

中压和高压三大类。

2、参数情况

IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实

际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块封装提出了更高要

求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于

工作温度高同时还需考虑强振动条件，其封装要求高于工业级和消费

级。

二、行业发展背景

1、政策

近年来，中国功率半导体器件行业受到各级政府的高度重视和国

家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励功率半导体

器件行业发展与创新，为新型功率半导体器件行业的发展提供了明确、

广阔的市场前景，为企业提供了良好的生产经营环境。

2、经济

凭借巨大的市场需求，下游应用行业快速发展，在稳定的经济增

长以及有利的政策等背景下，我国半导体产业规模迅速发展，从2015

年的986亿美元增长至2021年的1925亿美元，年均复合增速为11.8%。

3、技术

IGBT产品及其技术发展至如今，大致可以分为7代IGBT。其中

IGBT7作为最新一代技术，其沟道密度更高，元胞间距也经过精心设

计，并且优化了寄生电容参数，从而实现5kv/us下的最佳开关性能。

目前，IGBT7尚未得到广泛应用，但发展前景广阔。

三、产业链分析

1、产业链

IGBT模块产业链主要包括IGBT芯片设计、制造、模块封测三大

部分，而根据产业链覆盖程度，可以行业分为IDM、Fabless和Foundry

三种运作模式。其中IDM模式覆盖了芯片设计、制造、封测三个部

分；Fabless模式仅覆盖了芯片的设计部分；Foundry模式则只覆盖了

制造、封测部分，不参与芯片设计环节。

2、上游端分析

半导体材料和设备是半导体产业链的基石，在IGBT产品生产制造

中起到关键性的作用。在国家鼓励半导体材料国产化的政策导向下，

本土半导体材料厂商不断提升半导体产品技术水平和研发能力，逐渐

打破了国外半导体厂商的垄断格局，推进中国半导体材料国产化进程，

促进中国半导体材料行业的发展。据资料显示，2021年我国半导体

材料行业市场规模达99亿美元，同比增长12.3%，预计2022年中国

半导体材料市场规模将达107亿美元。

3、下游端分析

新能源汽车是IGBT行业应用规模最大的领域，随着近年来新能源

汽车迅猛发展，其已然成为IGBT行业规模最主要的增量市场之一。

据资料显示，2021年我国新能源汽车产量达354.5万辆，同比增长

159.52%，销量达352.1万辆，同比增长157.57%。

四、全球现状

1、全球规模

随着近年来全球IGBT行业发展向好，其市场规模也随之逐年递增。

据资料显示，2021年全球IGBT市场规模约为70.9亿美元，同比增长

6.6%。

2、应用结构

从全球IGBT行业应用情况来看，工业控制、新能源汽车和新能源

发电是最主要的需求领域，需求占比之和约为74%。其中工业控制占

比约为37%，新能源汽车占比约为28%，新能源发展占比约为9%。

五、中国现状

1、供需情况

随着近年来我国IGBT行业的不断发展，我国IGBT的产销量规模

也随之不断增长，现如今，我国已经成为全球最大的IGBT市场。据

资料显示，2021年我国IGBT产量为2580万只，同比增长27.7%；需

求量为13200万只，同比增长20%。

2、应用结构

从我国IGBT应用结构情况来看，工业控制、新能源汽车、新能源

发电已然是IGBT主要的应用领域。其中新能源汽车占比约为31%，

工业控制占比约为20%，新能源发电占比约为11%。

3、细分领域

新能源汽车是我国I