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第二章
一、填空题
1.根据下图各三极管电极的实测对地电压数据填空:
为NPN型的三极管是:,
为饱和状态的三极管是:,
为放大状态的三极管是:,
为截止状态的三极管是:,
已损坏的三极管是:。
2.某三极管的发射极电流I=1mA,基极电流I=20uA,则集电极电流I=,电流放
EBC
大系数β=。
3.晶体三极管是通过的变化去控制较大的变化。
4.有两个NPN三极管,甲管各极电位分别为V=6V,V=2.7V,V=2V,则处于
CBE
工作状态;乙管各极电位分别为V=6V,V=2V,V=2V,则乙管处于工作状态。
CBE
(A.放大B.饱和C.截止)
5.上题中甲管为管。(A.锗B.硅)
6.设某晶体管处在放大状态,三个电极的电位分别是V=12V,V=11.7V,V=6V则该管的导
EBC
电类型为型,用半导体材料制成。
7.工作在线性放大区的某晶体管,当I从20uA增大至40uA时,I从1mA变成2mA,它的
Bc
约为。
8.温度升高时,三极管的β将(A.增加B.减小C.不变)
9.某放大电路由三个单级放大电路组成,已知每级电压放大倍数为15dB,则总的电压放
大倍数为dB,相当于倍。
10.在三级放大电路中,已知A=50,A=80,A=25,则总电压增益A=,折
u1u2u3u
合为dB。
11场效应管属于控制器件,而晶体管是控制器件。
12某放大电路的电压增益为120dB,相当于倍。
13多级放大器常用的耦合方式有_______、_______、
_______和。
二、选择题
1.晶体三极管的参数如下,正确的应选用()
(A)=150I=20V(B)=50I=10V
CEOCEO
(C)=50I=1V
CEO
2.如图所示电路,如果Ce虚焊,以下说法正确
的是()
(A)Q点发生变化
(B)R减小,A减小
iu
(C)R增大,A减小
iu
(D)R增大,A增大
iu
3.某两级放大器构成的多级放大电路中,第一级电压增益为40dB,第二级电压放大倍数为
40倍,则放大器总的增益为(
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