半导体物理填空题——武汉理工.pdfVIP

1．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。

2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。其运动速度正

比于电场，比例系数称为迁移率。

3．np=n2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积np改变否？不变；当温度变化时，np改变否？改变。

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4．非平衡载流子通过复合效应而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关。

5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的

DkT

n0

关系式是，称为关爱因斯坦关系式。

q

n

6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射前者在电离施主或电离