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中国科技论文统计源期刊实验技术与管理Ｖ０１．２３Ｎｏ．３
（中国科技核心期刊）ＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＡＬＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＡＮＤＭＡＮＡＧＥＭＥＮＴＭＡＲ．２０ｏ６
ＭＯＳ场效应晶体管辐照特性的实验研究
皇甫丽英，金平，勾秋静，李冬梅
（清华大学电子工程系，北京１０００８４）
摘要：通过对ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ场效应晶体管在ｃｏ射线下的辐照实验，研究辐照对不同宽长比（Ｗ／Ｌ）
及不同偏置电压下的ＭＯＳ管的阈值电压及其转移特性的影响。实验证明辐照使ＭＯＳ管的阈值电压负向漂
移，辐照时非零栅源电压引起的ＭＯＳ管阈值电压漂移明显大于零栅源电压情况，宽长比对阈值电压漂移量
影响不大。
关键词：ＭＯＳ器件；辐照效应；阈值电压漂移；宽长比
中圈分类号：ＴＬ８１文献标识码：Ａ文章编号：１００２－４９５６（２００６）０３－００３８－０３
ＥｘｐｅｒｉｍｅａｔａｌＳｔｕｄｙｏｎＭＯＳＦＥＴｕｎｄｅｒＩｒｒａｄｉａｔｉｏｎＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＨＵＡＮＧＦＵＬ—ｙｉｉｎｇ，ＪＩＮＰｉｎｇ，ＧＯＵＱｉｕ－ｊｉｎｇ，ＬＩＤｏｎｇ－ｍｅｉ
（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｒｉｎｇ１０００８４，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＣｕｓｔｏｍｔｅｓｔｃｈｉｐｓｉｎｃｌｕｄｉｎｇＮＭＯＳａｎｄＰＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｗｅｒｅｔｅｓｔｅｄａｆｔｅｒｉｒｒａｄｉａｔｅｄｂｙＣｏ－ｒａｙ．Ｔｈｅ
ｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅｓｈｉｆｔｉｎｄｕｃｅｄｂｙｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎｗａｓｓｔｕｄｉｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｔｅｓｔｒｅｓｕｌｔｓ．ＢｏｈｔＮＭＯＳａｎｄＰＭＯＳｔｈｒｅｓｈｏｌｄ
ｖｏｌｔａｇｅｓｓｈｉｆｔｅｄｎｅｇａｔｉｖｅｌｙａｎｄｈｔｅｓｈｉｆｔｓｗｅｒｅｍｕｃｈｌａｇｅｒｗｈｅｎｔｈｅｄｅｖｉｃｅｇａｔｅｓｂｉａｓｅｄｄｕｒｉｎｇｉｒａｄｉａｔｉｏｎｔｈａｎｎｏｎｅｂｉ—
ａｓｅｄ．ＴｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｏｆＷ／Ｌｓｈｏｗｅｄｎｏｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｎｔｈｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅｓｈｉｆｔ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＭＯＳｄｅｖｉｃｅ；Ｒａｄｉａｔｉｏｎｅｆｆｅｃｔ；ｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅｓｈｉｆｔ；Ｗ／Ｌ
随着信息技术的发展，集成电路在辐射环境下外径３０ｍｍ的试管中，辐射吸收剂量率为１０５．６１
的应用也日益广泛，如航天电子及高能物理实验Ｇｙ／ｍｉｎ，总剂量为Ｍ１ｒａｄ。辐照时ＮＭＯＳ管和
等。国外对ＭＯＳ器件的辐照效应的研究较多，目ＰＭＯＳ管分别有两种偏置情况：＝Ｖｏ。＝５Ｖ，
前，国内对于自主设计的ＭＯＳ器件的实验研究还＝Ｖｓ＝ｓ＝０Ｖ，以及ｖｏ＝ＶｏＤ＝５Ｖ，ＶＧ＝＝
不多。本文对自主设计的不同宽长比的ＭＯＳ器件＝０Ｖ，如图１所示。辐照结束后立刻离线进行
进行的辐照实验研究，对进一步研究提高集成电路测试。
抗辐射能力具有重要的参考价值。
１实验
５Ｖ
１．１实验样品
实验所用测试芯片采用的是０．６ｍ标准
ＣＭＯＳ工艺，在测试芯
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