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mosfet工作原理

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基本的场

效应晶体管，由一对金属电极（源和漏）和一个控制电极（栅）

组成。MOSFET的工作原理是通过在控制电极上施加电压来

控制该晶体管的电阻。

在MOSFET内部，栅电极和半导体之间有一个氧化物层。当

一个正电压被施加在栅电极上时，栅极与半导体之间的氧化物

破坏了电场，电子就会被吸引到半导体表面，形成一个薄层导

体通道。这条通道可以通过漏电极连接到源电极，从而允许电

流流动。

当栅电极电压为零时，MOSFET的通道将关闭，没有电流可

以通过。当正电压施加在栅电极上时，导通通道中的电荷会增

多，电荷密度也会增加，电阻降低，从而可以控制电流的大小。

参考内容：

1.马立峰,张小军.MOSFET原理及应用[M].北京:化学工业出

版社,2016.

2.王健民.半导体器件及应用[M].上海:上海交通大学出版社,

2014.

3.张俐俐,刘伯权.MOSFET及其应用中工作原理的分析与研

究[J].电子科技,2013(2):41-43.