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常用场效应管及晶体管参数66681

场效应管（Field-EffectTransistor，FET）和晶体管（Transistor）

是现代电子学中最常用的两种电子元件。它们广泛应用于电子设备中的放

大、开关和数码电子电路等方面。本文将对常用的场效应管和晶体管参数

进行介绍。

1.场效应管的参数

1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。

1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培

（A）。

1.3漏极-源极导通电阻（RDS(on)）:表示在漏极-源极之间，当场

效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。

1.4阈值电压（VGS(th)）:表示在栅极和源极之间，场效应管刚开

始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。

1.5输入电容（Ciss）:表示场效应管的输入电容，单位为法拉

（F）。

1.6输出电容（Coss）:表示场效应管的输出电容，单位为法拉

（F）。

1.7开关时间（ton、toff）:表示场效应管从导通到截止以及从截

止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。

2.晶体管的参数

2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特

（V）。

2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培

（A）。

2.3饱和压降（VCE(sat)）:表示晶体管在饱和区时，集电极和发射

极之间的电压降，单位为伏特（V）。

2.4开路电流放大倍数（hfe）:表示晶体管的直流电流放大倍数。

2.5输入电阻（hie）:表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。

2.6输出电阻（hoe）:表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。

2.7动态电阻（rce、Rce）:表示晶体管在放大区时，集电极和发射

极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。

3.总结

场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特

的特性和参数。在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应

管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。通过对常用场效应管和

晶体管参数的了解，我们可以更好地理解和应用这些重要的电子元件。