模拟电子技术仿真专业.pdfVIP

一、题目

研究Rb、Rc、晶体管参数对Q点、Au、Ri、Ro的影响

二、实验目的

（1）学习Multisim环境搭建电路的方法

（2）学习静态工作点和动态工作点的测试方法

（3）进一步了解放大电路的组成原则、各元件的作用及对动态参数的影响

三、仿真方法及数据处理及结论

3.1Rb对静态的影响

Rb阻值（kΩ）UceqUbeq

300133.4mv802.6mv

475233.7mv802.2mv

6504.07v794.43mv

8256.38v788.27mv

结论：当Rb过小时，Ib电流增大，三极管处于饱和区域

当Rb合适时，Rb增大，Uceq增大

3.2Rc对静态的影响

Rc阻值（kΩ）UceqUbeq

36.64v800.6mv

44.07v800.6mv

53.86v800.6mv

6173.06mv797.6mv

7149.81mv793.8mv

结论：Rb不变时，Ib不变，Rc增大，Uceq理论减小，当Rc6k时进入饱和区

3.3Β对静态影响

B值（kΩ）UceqUbeq

803.85v794.3mv

1001.07v800.6mv

120177.7mv802.3mv

结论：B值合适情况下，提高可提高静态工作点，但是过高则会进入饱和区

3.4Rb对Au、Ri、Ro的影响

3.4.1方法

改变Rb通过示波器、万用表对电路进行分析，对示波器波形、万用表的值进行处

理

3.4.2仿真图

Rb阻值（kΩ）AuRi（Ω）Ro（kΩ）

400122355.008

5102669274.9

60022810924.989

70019512735.01

结论：当三极管处于放大区时，随Rb增大Au减小，Ri增大，Ro基本保持不变