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浙江大学硅材料国家重点实验室简介

浙江大学硅材料国家重点实验室于１９８５年由国家计委批准投资

建设，１９８７年建成对外开放，已四次通过国家评估，成绩优良。拥

有浙大材料物理与化学全国重点学科。实验室主要研究方向：

（１）大直径硅单晶及缺陷工程

（２）半导体薄膜与光电器件应用

（３）有机／无机复合半导体材料与应用

４）纳米半导体材料与应用（

实验室学术委员会主任蒋民华院士，顾问阙端麟院士。主任叶

志镇教授，副主任杨德仁教授。实验室现有中科院院士、教授、研

究员等４０多人，拥有“国家杰出青年基金”获得者、“长江特聘教

授”、国家“百千万”“新世纪”等一批优秀中青年人才。

实验室围绕国家在硅与新型半导体材料领域的发展战略和重大

需求开展研究，并取得了一系列重大创新成果：

１．发明了微氮硅单晶技术并形成了产业化，产生了重大效益，获

得了国家发明二等奖１项；掺氮直拉硅单晶缺陷与性能研究处于国

际领先，成果获国家自然科学二等奖１项。

２．国内首创超高真空ＣＶＤ低温外延技术，在全国推广应用后产生

重大效益，获浙江省科技二等奖１项；宽禁带半导体ＺｎＯ研究取得

决了Ｐ型掺杂关键技术，由ＭＯＣＶＤ技术成功研制了国际首个同质ＺｎＯ－－ＬＥＤ原型器件，拥有

心技术的国家发明专利２０多项，研究工作处于国际领导地位。

有机复合半导体研究具有重要创新，获教育部自然科学二等奖１项，在Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．等国

刊上发表多篇论文。

次制备出硅纳米线、ＺｎＯ纳米管，在纳米半导体材料领域已取得了一批创新成果。

至共承担与完成国家自然科学基金重大、重点、“９７３”、“８６３”等科研项目２００余项，纵向研

１００多万元；已获授权国家发明专利５０多项；发表论文１２００余篇，其中ＳＣＩ、ＥＩ收录论文

培养了研究生３００多名。

至拥有一批先进的材料生长设备和一系列大型分析仪器，研究基础雄厚，是国家在硅与新型

料应用基础研究的重要基地。